机构：明年三星电子HBM市场占有率将超过30%
预测显示，三星电子明年在高带宽存储器（HBM）市场的份额将超过30%。尽管今年上半年三星电子表现不佳，落后于SK海力士和美光，但分析师预测，随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链，其销量将有所增长。
湖北：推动8英寸芯片晶圆、GPU芯片、车规级AI芯片等一批全国“首发”光通信技术和产品规模化应用
日前，湖北省人民政府办公厅发布《湖北省加快算网存用协同发展的若干措施》。
芯原推出基于FD-SOI工艺的无线IP平台
自芯原股份官网获悉，9月24日，芯原股份发布其无线IP平台，旨在帮助客户快速开发高能效、高集成度的芯片，广泛应用于物联网和消费电子领域。
应用材料与格罗方德达成战略合作，推动光子技术发展
自应用材料公司官方获悉，当地时间9月23日，应用材料公司宣布与格罗方德（GlobalFoundries, GF）达成战略合作伙伴关系，将在格罗方德新加坡工厂设立先进波导制造工厂，以加速实现人工智能驱动的新兴光子技术变革。
海外芯片股一周动态：传台积电3nm N3P代工价格上涨 英伟达50亿美元投资英特尔
近日，日本经济产业省（METI）宣布，将向美国存储巨头美光科技（Micron）位于广岛县东广岛市的DRAM工厂提供总额高达5360亿日元（约合36.3亿美元）的巨额补贴。
美光确认HBM4成功 计划2026年上半年量产
美光科技公布了强劲的业绩和积极的前景，提升了市场对内存超级周期的预期。该公司还驳斥了对第六代高带宽内存（HBM4）带宽限制的担忧，并表示有信心明年HBM产品“售罄”。
SK海力士启动1b DRAM试验生产线
据韩媒报道，近日，SK海力士在M15X工厂启动了一条试验生产线，以1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，以满足市场不断增长的HBM需求。
