半导体封测年会：当“芯片底片”换成12英寸：全球光掩模重构中的国产机会
台积电、三星、英特尔承诺，推动High-NA EUV及光掩模从6英寸升级至12英寸：三星2028年用于DRAM量产，台积电2030年导入，2031年建12英寸掩膜试点线。更大掩模可消除约30%拼接损耗，令吞吐量提升约40%。机构预测2031年全球光掩模市场达79.2亿美元。被打破的规格铁律2026年9月8日，荷兰光刻机巨头与台积电、三星、英特尔共同发起产业合作，推动High-NA EUV所用掩膜从
