消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出 据韩媒报道,根据其掌握的三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。 芯闻快讯 2024年10月31日 0 点赞 0 评论 1275 浏览
总规模50亿元,江苏省集成电路(无锡)产业专项母基金落地 据消息,6月21日,江苏省战略性新兴产业母基金启动运行暨首批产业专项基金组建新闻发布会召开,总计规模100亿元的3支基金落地无锡,涉及2个地标产业、5个未来产业。 芯闻快讯 2024年06月24日 0 点赞 0 评论 1276 浏览
三星半导体自爆,利润大跌50% 据韩国媒体 The Elec 报道,三星的设备解决方案 (DS) 部门负责运营三星代工厂、系统 LSI和内存部门,预计其 2023 年的营业利润将达到 13.1 万亿韩元左右。据报道,该公司在周三发给员工的一份说明中分享了这一数字。 芯闻快讯 2023年01月03日 0 点赞 0 评论 1276 浏览
三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术 三星晶圆代工部门近日透露,预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络(BSPDN)和硅光子技术。 芯闻快讯 2024年06月20日 0 点赞 0 评论 1277 浏览
台积电获美国66亿美元补贴,将在美建设第三座晶圆厂 当地时间4月8日,台积电宣布美国商务部和TSMC Arizona已签署一份不具约束力的初步备忘录(PMT),TSMC Arizona将获得最高可达66亿美元的直接资金补助,并可获最高达50亿美元的低成本政府贷款,申请高达资本支出25%的投资税收抵免。 芯闻快讯 2024年04月09日 0 点赞 0 评论 1277 浏览
美光科技将投资70亿美元打造新加坡存储芯片厂 据媒体报道,美光科技位于新加坡的高带宽存储器(HBM)先进封装厂已于1月8日破土动工,这是新加坡第一家同类工厂。 芯闻快讯 2025年01月09日 0 点赞 0 评论 1278 浏览
清华大学团队研制感存算一体化光电忆阻器阵列 据清华大学官网消息,目前,视觉感内计算研究尚处于起步阶段,在硬件层面,当前研究大多聚焦于单个光电感存算一体化器件,缺少将大规模阵列与硅CMOS电路有效集成的方案;在算法架构层面,当前演示的感内计算功能较为单一,难以支撑复杂视觉信息处理任务。 芯闻快讯 2024年11月18日 0 点赞 0 评论 1279 浏览
摩尔斯微电子任命胡文杰为副总裁兼大中华区及东南亚地区经理 全球领先的无晶圆半导体公司、Wi-Fi HaLow技术创新者摩尔斯微电子(Morse Micro)荣幸地宣布,任命胡文杰(Blake Hu)为公司新任副总裁兼大中华区和东南亚地区总经理。胡文杰在无线和半导体行业销售、产品管理和领导方面 拥有十多年的丰富经验。 芯闻快讯 2024年07月12日 0 点赞 0 评论 1279 浏览