消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出

据韩媒报道,根据其掌握的三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。

三星半导体自爆,利润大跌50%

据韩国媒体 The Elec 报道,三星的设备解决方案 (DS) 部门负责运营三星代工厂、系统 LSI和内存部门,预计其 2023 年的营业利润将达到 13.1 万亿韩元左右。据报道,该公司在周三发给员工的一份说明中分享了这一数字。

台积电获美国66亿美元补贴,将在美建设第三座晶圆厂

当地时间4月8日,台积电宣布美国商务部和TSMC Arizona已签署一份不具约束力的初步备忘录(PMT),TSMC Arizona将获得最高可达66亿美元的直接资金补助,并可获最高达50亿美元的低成本政府贷款,申请高达资本支出25%的投资税收抵免。

清华大学团队研制感存算一体化光电忆阻器阵列

据清华大学官网消息,目前,视觉感内计算研究尚处于起步阶段,在硬件层面,当前研究大多聚焦于单个光电感存算一体化器件,缺少将大规模阵列与硅CMOS电路有效集成的方案;在算法架构层面,当前演示的感内计算功能较为单一,难以支撑复杂视觉信息处理任务。