新声半导体完成近3亿元B+轮融资
近日，新声半导体宣布已完成2.88亿元B+轮融资，进一步巩固新声半导体在本土中高端滤波器领域的龙头地位。
思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产
据思锐智能官微消息，日前，思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式在青岛隆重举行。据悉，思锐智能半导体先进装备研发制造中心由思锐智能与青岛城投集团联合打造，总占地约95亩，总建筑面积约8.9万平方米，计划投资超12亿元，聚焦原子层沉积镀膜（ALD）和离子注入机（IMP）两大核心装备的研发与量产。思锐智能董事长聂翔表示，思锐智能半导体先进装备研发制造中心不仅是一座年产上百台核心设备的研发生产基
富乐德半导体部件精密清洗项目竣工投运
据青岛自贸片区官微消息，5月13日，青岛富乐德半导体部件精密清洗项目竣工投运活动在青岛自贸片区举行。
三星计划2028年将玻璃基板导入先进封装
据韩媒报道，有消息称，三星电子已确定计划在2028年将玻璃基板引入先进半导体封装领域，其要点是用玻璃中介层取代硅中介层，这也是三星电子玻璃基板路线图首次被确认。
英特尔将连通爱尔兰Fab 34与Fab 10晶圆厂
据报道，8月20日，英特尔爱尔兰官方在社交媒体平台发文表示，随着 Fab 34 晶圆厂的扩建基本完工。
LG电子启动混合键合设备开发，目标2028年实现大规模量产
据韩媒报道，7月13日，韩国LG电子宣布其生产技术研究所（PTI）已启动混合键合设备开发项目，目标在2028年实现大规模量产。
闪迪联手SK海力士推进高带宽闪存标准化，2026年推首款样品
自闪迪Sandisk官网获悉，当地时间8月6日，闪迪宣布已与SK海力士签署了一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的规格。这是一种旨在为下一代人工智能推理提供突破性内存容量和性能的新技术。
上海新阳拟18.5亿元投建集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目
上海新阳4月17日发布晚间公告称，为满足市场与客户对公司产品的需求，进一步扩大产品产能，公司拟投资建设年产5万吨集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目。
芯碁微装直写光刻设备批量导入国内多家封测龙头
据芯碁微装官微消息，合肥芯碁微电子装备股份有限公司宣布，其面向中道领域的晶圆级及板级直写光刻设备系列已获得重大市场突破。
