三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术
据韩媒报道，三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后导入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计2至3年内问世。
英特尔接收的两台ASML High NA EUV已投入生产
据外媒报道，英特尔于周一表示，去年接收的两台ASML高数值孔径极紫外光EUV已投入生产。英特尔资深总工程师卡森表示，ASML这两台尖端机器已生产了3万片晶圆。
台积电放出厂务工程竞标和CoWoS设备急单
据悉，台积电近期将展开厂务工程竞标，由于时间紧迫，希望年底至2025年上半能完成，估计此订单将会是加价急单价格。
总投资25亿元 思亚诺芯片封装项目落户湖北鄂州
资料显示，思亚诺（武汉）存储技术有限公司主要从事数据处理和存储支持服务、集成电路芯片及产品的设计、制造与销售等业务。
总投资约55亿元，芯德科技人工智能先进封测基地项目开工
6月30上午，南京市举行6月份全市重大产业项目推进活动，芯德科技人工智能先进封测基地项目开工。
晶盛机电12英寸SiC中试线通线
据晶盛机电官微消息，9月26日，首条12英寸碳化硅衬底加工中试线在晶盛机电子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通线，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正实现了从晶体生长、加工到检测环节的全线设备自主研发，100%国产化，标志着晶盛在全球SiC衬底技术从并跑向领跑迈进，迈入高效智造新阶段。
国内端侧 AI SoC 芯片设计企业为旌科技完成 A2 轮融资首次交割
国内端侧 AI SoC 芯片设计企业为旌科技完成 A2 轮融资首次交割，君信资本出资 1 亿元。
