AMD推新款HBM加速卡：带宽翻倍、密度翻倍
因为人工智能的急速发展，市场在过去几年对算力的要求迅速增长，这就给芯片带来了一系列的麻烦。当中，尤其以网络接口和内存带宽瓶颈最为显著。
台积电熊本第二座晶圆厂建设或延期
据日媒报道，台积电日本子公司JASM位于熊本县的第二晶圆厂动工建设时间已从2025年一季度调整为2025年内，不过该晶圆厂2027年投产的计划没有发生改变。
三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平
随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。
深圳平湖实验室国际首发研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
据深圳平湖实验室官微消息，近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）
纳芯微拟收购上海麦歌恩微电子部分股权
6月23日晚间，纳芯微（688052 ）披露公告称，公司拟收购上海麦歌恩微电子股份有限公司部分股权。
英特尔18A工艺计划上半年开始流片
自英特尔官方网站消息，近日，英特尔更新了其半导体Foundry相关页面的介绍，并宣布其Intel 18A工艺准备就绪，计划于今年上半年开始流片。
湖北亚芯电子35条全新封测产线投产
据报道，近日，荆门市首个半导体封测项目——湖北亚芯电子35条全新封测产线在东宝区电子信息产业园投产。
中兴微电子亮相ICDIA 2025，共话RISC-V架构推动AI算力普惠化进程
7月11-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展”（ICDIA创芯展）在苏州盛大开幕。
消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
消息称三星1b nm（12nm 级）DRAM内存良率仍不足五成。这一数据远低于80~90%的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。
工信部：开展车用芯片、操作系统、高精度传感器等技术攻关
4月19日至21日，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌在上海调研时表示，开展车用芯片、固态电池、操作系统、高精度传感器等技术攻关
