悉智科技首颗DCM封装8并SiC产品量产下线
据悉智科技官微消息，7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布，其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。
韩国2月半导体出口额下降 41.5%
3 月 14 日，韩国科技部今日公布了其 2 月份 ICT 出口统计数据。据悉，韩国 ICT（信息和通信技术）上个月出口额仅有 128.2 亿美元（备注：当前约 879.45 亿元人民币），同比下降 32.0%，这已经是 ICT 出口连续八个月持续下滑
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
北京亦庄发布RISC-V产业发展行动计划
据北京亦庄官微消息，近日，在首届RISC-V产业发展大会上，北京经开区发布RISC-V产业发展行动计划， RISC-V工委会发布多项重要成果。
汽车驶入量子计算快车道
汽车公司目前正在探索量子计算作为帮助他们加速新能源技术进步的一种潜在途径。人们已经在探索量子计算机以应对多项挑战，包括模拟复杂的分子和材料系统以生产下一代电池或氢燃料电池技术、提高构建材料的寿命（例如通过提高其耐腐蚀性）以及开发新的方法来优化制造流程和车辆路线
“国家队”重磅官宣 1.5万亿半导体投资启航
6月7日，国家金融监管总局官网挂出同意国有六大行参与投资设立国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司的行政批复。国家金融监管总局指出，资金来源于银行资本金划拨，确保基金运行不偏离主业，实现推动集成电路产业高质量发展的政策目标。
新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发
新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作
SK海力士定制HBM4基础裸片将从5nm升级至3nm
据韩媒报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始供货
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
