ICEPT2026:北京大学集成电路学院/集成电路高精尖创新中心在IEEE ISPSD 2026发表3项宽禁带半导体功率器件重要技术进展
近日,功率半导体器件领域的顶级会议IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 在美国拉斯维加斯举行。北京大学集成电路学院三篇高水平论文入选,向国际功率器件与功率集成电路领域的同行展示了北京大学最新的研究成果,研究内容涉及GaN HEMT器件栅极可靠性、超高压GaN横向整流器、以及集成型GaN
