三星DRAM第17产线正推动制程转换
据台媒报道，三星位于韩国华城的DRAM第17产线（Line 17）正推动制程转换，预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程，配合HBM与下一代DRAM量产。
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
5月22日，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
中微公司：增资超微公司暨关联交易
4月18日，中微公司发布公告称，公司拟与关联方尹志尧、陈伟文、JU JIN(靳巨)、BEAMVISION PTE. LTD.共同投资超微公司，构成关联交易。
闻泰科技超40亿出售产品集成业务，专注半导体领域发展
5月17日，闻泰科技发布公告称，公司拟以现金方式向立讯精密及立讯通讯转让下属的昆明闻讯、黄石智通、昆明智通、深圳闻泰、香港闻泰（含印尼闻泰）的100%股权以及下属公司无锡闻泰、无锡闻讯、印度闻泰的业务资产包，交易价格为43.89亿元。
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
从测试到芯片全链条覆盖，慕尼黑上海电子展解码储能技术盛宴
随着全球电力行业向低碳环保的转变加速，以及欧盟碳关税即将全面实施等多重因素的叠加影响，加速了新型储能技术的发展。2024年，我国也首次将“发展新型储能”写入了政府工作报告。
三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术
据韩媒报道，三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后导入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计2至3年内问世。
Rapidus称2nm生产速度将达台积电3倍
日前，日本Rapidus社长小池淳义在接受媒体采访时表示，Rapidus正在与包括美国GAFAM（巨型科技企业）和人工智能芯片设计初创企业在内的多家公司进行洽谈，以拓展代工业务。
晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体
日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
智能电动化浪潮下，汽车半导体如何赋能行业未来发展？ ——慕尼黑上海电子展揭秘汽车电子新动能
过去几年，汽车芯片行业一直处于去库存阶段，但在汽车智能化和电动化的趋势下，对一些类型的汽车芯片仍有较强需求，如为智驾提供算力的芯片、汽车图像传感器，以及高性能微控制器（MCU）等。
环球晶圆160亿元晶圆大厂本周建成
据台媒报道，台湾环球晶圆公司将于5月15日完成其位于得克萨斯州的12英寸硅晶圆厂的建设，这是美国首家此类工厂，将生产高产量的先进12英寸硅晶圆。
晶驰机电半导体材料装备研发生产项目投产
据消息，11月26日，晶驰机电半导体材料装备研发生产项目投产仪式在新埭镇举行，晶驰机电首台MPCVD设备交付。
消息称SK海力士拆分HBM封装产品开发团队，标准、定制并行
据韩媒报道，近期，SK 海力士调整了其HBM内存开发组织的架构，将标准和定制HBM的封装产品开发团队一分为二。
全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线冲刺试产
近日，福建晶旭半导体科技有限公司二期项目——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目整体建筑形象雏形显现。
TSMC Arizona第三晶圆厂破土动工
据外媒，日前，台积电美国子公司 TSMC Arizona 的第三晶圆厂举行了破土动工仪式。
燕东微拟募资40亿元用于北电集成12英寸产线项目
北京燕东微电子股份有限公司发布公告称，其向特定对象发行股票的申请已获得上海证券交易所审核通过。
海世高半导体苏州测试研究所启用，首片半导体玻璃基板投产
据海世高半导体官微消息，日前，海世高半导体科技（苏州）有限公司在苏州高新区隆重举行“半导体测试研究所落成典礼暨玻璃基板投产仪式”。
合肥欣奕华宣布完成超3亿元B+轮融资
6月3日，泛半导体高端装备厂商合肥欣奕华智能机器股份有限公司宣布，国开制造业转型升级基金、朝希资本、安徽高新投、国中资本、超高清视频产业投资基金等基金已完成对公司超3亿元B+轮投资。
北京市政府投资引导基金增资至2500亿 增幅约150%
据消息，据天眼查APP显示，近日，北京市政府投资引导基金（有限合伙）发生工商变更，出资额由1000.1亿人民币增至2500.1亿人民币，增幅约150%。
