ICEPT2026:苏州纳米所孙钱团队在第38届功率半导体器件和集成电路国际会议发表两项研究进展
在日前举行的功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD 2026上,中国科学院苏州纳米所孙钱研究员团队连续发表了两项研究进展。针对高压GaN功率器件在工程应用中长期面临的“栅极阈值电压漂移”和“导通电阻居高不下”两大瓶颈,团队从物理机制与器件结构出发给出了创新解决方案。工作1: 借助AlGaN势垒层中的GaN插入层导流释放动态积累空穴,显著提升p-GaN栅极动态稳定性p-GaN栅增强型高电子迁移率
