台积电明年资本支出冲新高 2纳米需求超预期
据消息，台积电（2330） 2025年资本支出又将冲高。业界传出，因持续加码2纳米等最先进制程相关研发加上2纳米后续需求超乎预期强劲，产能将导入南科，台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间，为历年次高，年增12.5%至14.3%。
康达新材：子公司拟2.89亿元投建半导体光刻胶光引发剂项目
康达新材4月16日发布公告称，经决议，公司同意控股子公司西安彩晶光电科技股份有限公司投资建设半导体光刻胶核心材料光引发剂技术研究和产业化项目。
超微3纳米晶圆代工有望交付三星
据消息，近期韩国证券业界分析认为，三星电子可能从超微获得3纳米晶圆代工订单，除了考量台积电的产能，超微在ITF World 2024活动中的发言也可看出端倪。超微提到将从3nm开始采用环栅（GAA）晶体管结构，以提高功效和性能。目前，三星电子是唯一在3纳米使用GAA结构的企业。
上海：用好100亿元集成电路设计产业并购基金
大半导体产业网消息，12月10日，上海市人民政府办公厅关于印发《上海市支持上市公司并购重组行动方案（2025—2027年）》的通知。
英伟达首次将华为列为竞争对手，外交部回应
毛宁表示，事实证明“小院高墙”挡不住中国创新发展的步伐，也不利于包括美国企业在内的整个产业的健康发展
外交部：美打压中国半导体企业是地地道道的经济霸凌行径
美方以所谓“国家安全”为由，不断加码对华芯片出口管制措施，无理打压中国半导体企业，是地地道道的经济霸凌行径
HANMI宣布成立HBM4生产设备研发团队
自韩美半导体官网获悉，6月5日，韩美半导体（HANMI）宣布成立一个名为Silver Phoenix的团队，致力于生产第6代高带宽内存（HBM）设备“TC Bonder 4”。
中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
近期，中国科学院微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下，在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索，取得了重要进展。
美光宣布获得61亿美元CHIPS和科学法案资助
美光宣布已根据《CHIPS 和科学法案》签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 (PMT)，获美国政府拨款 61亿美元。
