CSPT 2026 |天成半导体:成功制备出国内14英寸碳化硅单晶材料!

近日,天成半导体正式宣布,依托自主研发设备成功研制出14 英寸(350mm)碳化硅单晶衬底的制备与核心性能验证,有效厚度达30㎜,实现了我国在超大尺寸碳化硅衬底领域的重大技术跨越。本次技术突破,不仅填补了国内在该领域的技术空白,也将全球碳化硅单晶衬底的研发尺寸纪录提升至新的量级,标志着我国在第三代半导体核心材料领域的研发能力跻身全球第一梯队。据参与研发的技术人员披露,本次制备的 14 英寸碳化硅单

ASML携蔡司研发新一代Hyper NA EUV设备

据外媒报道,近日,ASML技术高级副总裁Jos Benschop在受访时表示,该企业已与光学组件独家合作伙伴蔡司一同启动了单次曝光实现5nm分辨率的Hyper NA光刻机开发,能满足2035年乃至更后阶段的产业需求。