美光推出基于1γ节点的LPDDR5x DRAM内存
当地时间6月3日，美光宣布率先推出基于第六代10nm级制程（美光命名为1γ）的LPDDR5x DRAM内存。该种工艺特征尺寸约为11到12纳米，也被称为1c DRAM。
A-STAR推出全球首个工业级200毫米碳化硅开放研发生产线
据报道，日前 ，新加坡科技研究局（下简称A-STAR）推出全球首个工业级200毫米碳化硅开放研发生产线。A-STAR是新加坡政府下属的主要科研机构，成立于1991年，隶属于新加坡贸工部。
英诺赛科正计划进一步提升8英寸晶圆产能
据报道，近日，英诺赛科证实，公司将进一步提升8英寸（200mm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司表示，要在未来五年内提升到7万片/月。
传联想自研5nm SoC芯片曝光
据多方媒体报道，日前，联想最新发布了YOGA Pad Pro 14.5平板。官方宣传资料中并未透露其具体处理器型号信息，但据发布会现场设备信息实拍，该平板搭载了一颗名为SS1101的处理器。
英特尔、OMDIA、中科院领衔，500+芯片企业齐聚苏州，提前锁定2025半导体风向标！
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智能电动化浪潮下，汽车半导体如何赋能行业未来发展？ ——慕尼黑上海电子展揭秘汽车电子新动能
过去几年，汽车芯片行业一直处于去库存阶段，但在汽车智能化和电动化的趋势下，对一些类型的汽车芯片仍有较强需求，如为智驾提供算力的芯片、汽车图像传感器，以及高性能微控制器（MCU）等。
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
从测试到芯片全链条覆盖，慕尼黑上海电子展解码储能技术盛宴
随着全球电力行业向低碳环保的转变加速，以及欧盟碳关税即将全面实施等多重因素的叠加影响，加速了新型储能技术的发展。2024年，我国也首次将“发展新型储能”写入了政府工作报告。
三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术
据韩媒报道，三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后导入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计2至3年内问世。
日月光推出具备TSV的FOCoS-Bridge先进封装技术
据台媒报道，日月光宣布推出具备硅通孔(TSV)的扇出型基板上晶片桥接技术(FOCoS-Bridge)，推动人工智慧(AI)技术发展，并加速AI对全球生活的深远影响。
