合肥芯谷微电子砷化镓晶圆制造线首台设备搬入
据合肥芯谷微电子官微消息，5月19日，合肥芯谷微电子砷化镓晶圆制造线项目迎来重要节点——首台核心设备高温离子注入机顺利move in。
联电与英特尔合作开发12nm制程 2027年量产
在5月28日的年度股东大会上，联电（UMC）首席财务官刘启东宣布，与英特尔（Intel）合作开发的12nm制程是联电当前最重要的发展计划之一，预计将在2027年实现量产。此项合作自2024年初宣布以来，旨在应对快速增长的移动通信和网络基础设施市场。
深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展
据深圳平湖实验室官微消息，为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：
力成科技转型先进封装！
力成科技押注FOPLP终迎爆发 放弃HBM转型先进封装成效显现近日，力成科技举办年度盛会，其FOPLP（扇出型面板级封装）业务的两大核心客户博通与AMD均派出高层出席，日本迪思科、爱德万测试等设备厂商也到场助阵并表示将为力成定制化打造FOPLP生产线，这一阵容充分彰显了其在先进封测领域的布局已获得产业链上下游的高度认可。与此同时，受台积电CoWoS先进封装产能持续紧张、高端封装订单外溢影响，深耕F
台积电美国3nm晶圆厂完工，2027年量产在即
台积电在美国亚利桑那州的3nm晶圆厂建设已于近期顺利完工，预计将在2027年开始量产。
格力：SiC工厂整套环境设备均为自主制造
自央视频官方获悉，格力电器董事长董明珠在纪录片中，再次回应外界对格力造芯片质疑，并谈到了格力建设的芯片工厂，直言“是大家把芯片看得太神秘”。
联电新加坡Fab 12i P3新厂首批设备到厂
据联电（UMC）官网消息，5月21日，联电在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批设备到厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。
鸿海砸近17亿新台币取得得州2厂使用权扩AI服务器产能
鸿海代子公司Foxconn Assembly LLC.公告，取得美国得州休斯顿2座厂房租赁使用权，合约租金总额约5655.38万美元（约新台币16.98亿元），市场解读鸿海此次投资持续在得州扩充人工智能（AI）服务器产线，服务北美客户。
英诺赛科正计划进一步提升8英寸晶圆产能
据报道，近日，英诺赛科证实，公司将进一步提升8英寸（200mm）产能，预计年底将从1.3万片/月扩产至2万片/月。此前公司表示，要在未来五年内提升到7万片/月。
