中国在新兴芯片领域产生最多论文 难以透过出口管制打击
一份分析报告指出，中国目前在未来运算硬件基础研究领域产出最多的研究成果。这项由乔治城大学新兴技术观察项目 (Emerging Technology Observatory，ETO) 进行的研究发现，如果这些研究能够发展成商业应用，美国可能很快就会发现，难以透过出口管制来维持其在高效能微芯片设计和生产方面的竞争优势。
HANMI宣布成立HBM4生产设备研发团队
自韩美半导体官网获悉，6月5日，韩美半导体（HANMI）宣布成立一个名为Silver Phoenix的团队，致力于生产第6代高带宽内存（HBM）设备“TC Bonder 4”。
广东：大力推动刻蚀机等光芯片关键装备研发和国产化替代
据消息，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。
喆塔半导体AI创新总部落户光谷并启动
据喆塔科技官微消息，8月30日，喆塔科技半导体AI创新总部——喆塔智芯正式落户武汉光谷，并与东湖高新区管委会、光谷金控签署了三方合作协议。武汉喆塔智芯签约仪式暨喆塔科技半导体AI创新总部启动仪式在光谷隆重举行，标志着三方合作步入实质性阶段。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
PI官宣收购Odyssey半导体资产
自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用
据悉，在二期工厂中，镓仁半导体自主研发并对外销售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉已全面进线，而且在现有基础上对工艺进行持续优化。
台积电董事澄清：从未讨论过接手英特尔晶圆厂
据台媒报道，台积电董事刘镜清3月19日表示，台积电董事会从未讨论过接手英特尔代工部门的事。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
ASML：2024年第一季度营收达53亿欧元 同比下降21%
据消息，阿斯麦（ASML）发布2024年第一季度财报。2024年第一季度，ASML实现净销售额53亿欧元，同比下降21%；净利润达12亿欧元，同比下降38%。
