SK海力士将开发性能高30倍HBM
据韩媒报道，8月19日，SK海力士副社长柳成洙（Ryu Seong-su）在论坛上公开表示，SK海力士要开发比目前的HBM性能高30倍的产品。
AMD计划导入三星4纳米制程技术
自从出售了晶圆制造业务及晶圆厂以后，AMD 在过去的时间里，基本都依靠台积电和格芯 （GlobalFoundries） 为其生产芯片。
世界先进新加坡12吋厂进度有望超前
据报道，6月28日，世界先进（VIS）举行家庭日活动，针对新加坡VSMC 12吋厂进度，董事长方略表示，该项目去年第4季动工，经过八个月努力，所有工程进展相当顺利，2027年第1季量产行程不变，甚至可能超前。
国际首款X/γ核辐射剂量探测芯片成功实现量产
据中核集团官微消息，近日，由中核集团原子能院核安全与环境工程技术研究所研发的国际首款X/γ核辐射剂量探测芯片成功实现量产，实现了从“1”到“100”的产业化突破，打通了科技成果向新质生产力转化的“最后一公里”。
【CSPT2025 邀请函】中国半导体封测展
中国半导体封装测试展暨中国半导体封装测试技术与市场大会，是国内唯一涵盖整个半导体封测行业的最具影响力的专业展会
台积电中科二期园区1.4纳米扩厂延期
据台媒，经“中科管理局”证实，台积电计划延后位于中国台湾中科二期园区的1.4nm先进制程工厂建设。为配合台积电规划，中科二期园区将延期到年底交地。
台亚半导体分割GaN事业群交由子公司冠亚
大半导体产业网消息，台亚半导体周四下午宣布：经董事会决议，将8吋的GaN事业群以及与之相关的资产与业务，分割给由台亚半导体全资持股的子公司冠亚半导体，并且由冠亚半导体发行新股予以台亚半导体作为对价。
日本Rapidus试制博通芯片，计划6月交付
据日媒报道，日本半导体制造商Rapidus计划与博通合作，最快于2025年6月提供2纳米制程芯片原型，并有望向博通的客户供应芯片。 有消息称，博通正评估Rapidus的2纳米芯片良率和性能，如果试产芯片符合其要求，将委托Rapidus生产相关高端芯片。
美光确认HBM4成功 计划2026年上半年量产
美光科技公布了强劲的业绩和积极的前景，提升了市场对内存超级周期的预期。该公司还驳斥了对第六代高带宽内存（HBM4）带宽限制的担忧，并表示有信心明年HBM产品“售罄”。
