天岳先进成功交付P型SiC衬底
据天岳先进官微消息，近日，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用
3月30日，陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用。该平台具备光子芯片制程中的光刻、刻蚀、蒸镀等多项核心工艺，将为光子产业项目提供产品研发、中试、检测等全流程技术服务，为光子产业各类创新主体打通从产品研发到市场化批量供货的完整链条
韩国首座8英寸SiC工厂在釜山开建
6月5日，韩国首座8英寸SiC工厂在釜山开建，投资方为EYEQLab，规划产能为14.4万片/年，投产时间预计为2025年9月。
SiFive 宣布推出全新高性能 RISC-V 数据中心处理器，适用于高强度的 AI 工作负载
SiFive Performance P870-D 为数据中心、汽车和嵌入式系统带来高计算密度和可扩展性
大基金退出！赛微电子将全资控股莱克斯北京
3月22日，赛微电子发布公告称，公司拟通过全资子公司北京赛莱克斯国际科技有限公司（以下简称“赛莱克斯国际”）收购国家集成电路产业投资基金股份有限公司持有的公司控股子公司赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司（以下简称“赛莱克斯北京”）28.5%股权。
无锡迪思高端掩模正式通线，首套90nm产品顺利交付
近日，无锡迪思微电子有限公司（以下简称“无锡迪思”）高端掩模项目完成关键设备安装调试，产线顺利贯通，并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付，标志着无锡迪思技术能力实现新跨越，向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司，又迈出坚实的一步。
英伟达官宣下一代AI芯片架构Rubin，加速迭代进程
6月2日，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（COMPUTEX）发表主题演讲。演讲中，黄仁勋宣布将在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片。同时，其透露下一代AI平台名称为“Rubin”，该平台基于3nm制程打造，并采用8层HBM4内存，CoWoS-L封装，将于2026年发布。而其升级版Rubin Ultra将支持12层HBM4内存，计划于2027年推出。
研究人员在自旋电子器件制造工艺方面获新突破，或成半导体芯片行业新标准
近日，美国明尼苏达大学的研究人员与国家标准与技术研究院 (NIST) 的联合团队一起开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小
全芯微半导体芯片高端封测项目年底投产
近日，全芯微半导体芯片高端封测项目2、3号楼已经封顶，1号楼主体工程全速推进。相关负责人称，预计2025年底实现投产达效。
华南站丨多项创新技术聚合，智能检测技术如何炼就“火眼金睛”？
作为智能制造的核心装备，智能检测装备也是“工业六基”的重要组成和产业基础高级化的重要领域，对加快制造业高端化、智能化、绿色化发展，提升产业链供应链韧性和安全水平，支撑制造强国、质量强国和数字中国建设具有重要意义
