近日，国产高端半导体晶圆键合设备商矽赫微科技（上海）有限公司（下称 “矽赫微科技”，SHW）正式宣布完成新一轮融资。
本轮融资由元禾璞华领投，合肥产投、哇牛资本、君子兰资本、萨珊资本、曦晨资本、苏高新、东方嘉富、江苏大摩半导体等多家产业资本与知名投资机构联合参投，云岫资本担任本轮融资独家财务顾问。
这是国内晶圆永久键合设备赛道 2026 年以来规模最大的融资事件之一，资金将重点用于核心设备的市场化布局、产业化落地与客户端批量交付，加速高端键合设备的国产替代进程。
据企业官方披露信息，本轮融资资金将定向投向五大核心装备的研发迭代与产能建设，具体包括全自动混合键合设备、XOI 复合衬底全自动键合设备、BSPDN 全自动键合设备、高真空异质键合设备、D2W 混合键合晶圆表面处理系统，同时配套完善键合界面量检测、快速退火等上下游工艺设备的研发与市场推广，进一步完善全栈式晶圆键合解决方案布局。
成立于 2023 年的矽赫微科技，总部位于上海浦东新区，同时设有日本研发中心，是国内少数专注于半导体晶圆永久键合全流程解决方案的高端装备企业，核心定位为后摩尔时代先进封装与 3D 集成领域的核心设备供应商。
公司核心团队由中日半导体设备领域资深专家整建制组建，具备覆盖等离子体活化、晶圆清洗、超高精密对准、高真空键合、键合性能量检测等混合键合全流程的自主研发能力。
其中，公司创始人、法定代表人王笑寒博士拥有美国 20 余年半导体领域研发与产业经验，曾任职于全球半导体量检测龙头 KLA，同时是国内半导体设备领域开创性企业睿励科学仪器的创始人，主导完成了国内首台前道量检测设备的国产化落地，实现了相关领域从 0 到 1 的突破。
联合创始人为原东京电子（TEL）核心专家长田厚，其拥有超过 35 年半导体设备研发经验，曾带领团队完成海外头部晶圆厂混合键合设备的交付，在等离子体处理、晶圆键合、刻蚀等领域拥有成熟的量产设备开发经验。依托中日团队的协同研发体系，公司新工艺、新设备的开发周期可分别缩短 30%、50%，研发效率与产业化落地速度处于行业领先水平。
技术层面，矽赫微科技已构建起完全自主可控的核心技术体系，独创的 IFB 原位键合技术实现了行业性突破。该技术通过等离子体工艺优化，可同步去除晶圆表面氧化层并保持界面光滑度，实现双片原位高效无损键合，有效解决了传统键合工艺中界面应力大、氧化层残留、键合良率不足等行业痛点，在低应力异质键合领域达到国际先进水平。截至目前，公司已围绕核心技术布局了百余项相关专利，形成了完整的知识产权保护体系。
产品布局上，矽赫微科技已完成覆盖 4-12 英寸晶圆的全谱系键合设备矩阵，可全面适配 3D NAND、HBM 高带宽内存、Chiplet 异质集成、MicroLED、SOI/POI 复合衬底、功率半导体等多个前沿应用场景的工艺需求。其中，XOI 复合衬底全自动键合设备已完成研发，计划于 2026 年 3 月交付客户验证；12 英寸全自动混合键合设备已完成首台样机生产与全功能验证，各项核心指标对标国际一线厂商同类产品。
现阶段，公司多款设备已在国内外多家头部晶圆厂完成打样测试并获得高度认可，与大陆、台湾、日本市场的多家量产客户及科研院所达成了战略合作与采购协议，核心机台已于 2026 年 3 月正式发往客户端。
在 2026 年 3 月举办的 SEMICON China 行业展会上，公司携全系列晶圆键合设备与解决方案亮相，成为展会中少数具备混合键合设备全流程自主研发能力的国产厂商。
随着 AI 算力需求爆发、Chiplet 异质集成架构普及与 HBM 高带宽内存市场的高速增长，晶圆键合技术已成为后摩尔时代延续芯片性能提升的核心底层工艺，高精度晶圆键合设备尤其是混合键合设备，已成为先进封装产线的核心标配。
集邦咨询数据显示，2025 年全球先进封装市场规模已突破 450 亿美元，占整体封装市场比重超过 50%，其中混合键合设备是增速最快的细分品类之一。但长期以来，全球高端晶圆键合设备市场被东京电子、EVG、SUSS 等海外厂商垄断，尤其是 12 英寸混合键合设备领域，国产化率不足 5%，成为我国半导体产业链的核心短板之一，国产替代空间广阔。
本轮融资的落地，不仅是资本市场对矽赫微科技技术实力、产业化能力与行业发展前景的高度认可，更将进一步加速国产高端晶圆键合设备的商业化进程，完善我国先进封装产业链的自主可控布局，为国内晶圆厂与封测厂商提供稳定、可靠的国产设备解决方案，助力 AI 时代半导体产业的高质量发展。
