三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线
据韩媒报道，目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
浙江大学集成电路学院与芯启源、芯云晟建立合作伙伴关系
4月15日，浙江大学集成电路学院与芯启源电子科技有限公司、芯云晟电子科技有限公司签约
总投资20亿元，中宜创芯碳化硅半导体粉体产线项目一期达产
据消息，近日，河南中宜创芯发展有限公司碳化硅半导体粉体500吨生产线成功达产，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。
力森诺科竹科厂房出售， 封测厂硅格16.8亿元新台币取得
半导体封测厂矽格5月9日傍晚公告，子公司矽格联测得标中国台湾力森诺科竹科厂房标售案，交易总金额16.8亿元新台币（单位下同），以应对未来运营需求。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
三星电子HBM芯片据悉尚未通过英伟达测试 涉及发热和功耗问题
知情人士称，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，无法用于后者的人工智能处理器。
美国将向Absolics发放7500万美元先进芯片封装补贴
美国商务部表示，计划向Absolics拨款7500万美元，用于在佐治亚州建造一座12万平方英尺的工厂，为该国的半导体行业供应先进材料。
新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发
新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作
