三安光电光芯片业务取得关键突破，400G/800G产品批量出货，1.6T产品进入送样验证阶段2月10日，国内化合物半导体龙头企业三安光电股份有限公司（股票代码：600703）在高速光通信芯片领域取得重要进展。公司近日在投资者互动平台连续披露，其用于400G、800G光模块的光芯片已实现批量出货，而面向下一代数据中心应用的1.6T光模块光芯片也已向客户送样验证。该进展标志着三安光电在高端光芯片的国产化替代与前沿技术布局上，迈出了坚实步伐，也为下游光模块封装及系统集成产业提供了关键的上游支持。
产品进展：从批量出货到前沿送样
根据三安光电在互动平台的最新回复，公司光芯片产品线已形成清晰的梯度布局：成熟产品批量供应：用于400G和800G速率光模块的光芯片已进入批量出货阶段。这表明相关产品在性能、可靠性和产能上均已满足客户规模化采购需求，正式进入商业收获期。
前沿产品验证推进：用于更高速率1.6T光模块的光芯片，已向客户送样验证。送样验证是芯片产品商业化前的关键环节，通常需要经过客户侧严格的性能、可靠性与系统适配性测试。
有部分媒体分析指出，三安光电的1.6T光芯片（基于磷化铟的EML激光器芯片）已于2025年12月完成开发并送样，且已通过华为海思认证，并向中际旭创、光迅科技等头部光模块厂商送样。
值得注意的是，公司对1.6T产品的表述在近期有所推进。在2025年11月的互动回复中，公司曾表示1.6T光芯片产品“处于研发阶段”，而最新的信息显示，产品已从研发阶段进入客户送样验证阶段，研发进程显著提速。
产能布局：核心工艺扩产，保障供应链
在产能方面，三安光电同步进行了积极部署。公司披露，其光技术产能目前为2,750片/月，其中磷化铟（InP）产能为2,500片/月。磷化铟是制造高速光通信芯片（如EML激光器）的关键衬底材料，该产能数据凸显了三安光电在高端光芯片制造领域的材料根基。更为重要的是，公司已将核心工艺环节——外延——的产能扩产至6,000片/月。外延生长是光芯片制造中技术壁垒极高的核心工序，直接决定芯片的性能。此次大规模扩产，表明公司正在为未来400G/800G产品的持续放量以及1.6T产品的潜在需求做前瞻性产能储备，旨在提升交付能力并巩固市场地位。产业意义：助力先进封装与光模块集成
三安光电在光芯片领域的突破，对下游的先进封装、封装测试及光模块产业具有积极意义。提升供应链自主可控性：高速光芯片长期是光模块产业链中的关键瓶颈，尤其依赖进口。三安光电的批量出货与送样验证，为国内光模块厂商提供了重要的国产化供应链选项，有助于产业生态的健全与安全。
支撑下一代封装技术演进：随着数据中心向1.6T及更高速率演进，光互连技术愈发重要。共封装光学（CPO）等先进封装技术正成为重要发展方向。高性能、低成本的国产光芯片，是推动CPO等新一代集成技术落地和应用普及的基础元件。
协同半导体封装大趋势：当前，先进封装技术已成为延续芯片性能提升、实现异构集成的核心路径。光芯片与电芯片在封装层面的融合（如2.5D/3D集成、系统级封装SiP），是未来高性能计算的重要趋势。
三安光电在光芯片领域的进展，为这种“光电合一”的先进封装方案提供了本土化的元件支持。
根据行业分析，全球数据中心对1.6T光模块的需求预计将在2026年下半年至2027年集中释放。三安光电给出的产业节奏与之基本匹配，有网络资讯预计其1.6T光芯片可能在2026年第三季度实现小批量量产，并在2026-2027年随行业需求起量而逐步放量。若验证及量产进程顺利，三安光电有望在下一代数据中心光互连升级周期中占据有利位置。综合来看，三安光电在400G/800G光芯片的批量出货与1.6T产品的送样验证，不仅展现了公司自身的技术突破与产业化能力，也为中国高速光通信产业链的完善与升级注入了强劲动力，对上游材料、中游芯片制造、下游模块封装与系统集成的全产业链都将产生深远影响。
