
iTGV 2026 第三届国际玻璃通孔技术创新与应用论坛于2026 年 5 月 27-29 日在无锡盛大举办,主题为 “重构玻璃基板技术路线”,核心价值在于确立中国在先进封装新赛道的全球话语权、加速 TGV 从技术验证到规模化落地、构建自主可控的玻璃基板生态。直面同期美国 ECTC,成为全球玻璃基板领域最高规格、产业链最全、落地最深的国际会议,标志先进封装 “硅基→玻璃基” 的路线拐点,中国主导新赛道标准制定。海内外AI设计公司、玻璃基板先进封装与核心材料工艺1000多位同仁同时在现场报告聆听分享。

中国科学院微电子研究所系统封装与集成研发中心主任王启东担当iTGV2026主论坛主持

玻璃基板(TGV)具备低损耗、高带宽、低成本、超薄化优势,是下一代 AI 芯片、高速通信、光电集成的核心载体,直接解决先进封装 I/O 密度与功耗瓶颈。此次盛会胜利召开,iTGV明确了中国玻璃基大芯片量产的路线图与时间表,有别于三星、英特尔、台积电与SKC(预测这几个国际巨头明确在2028年导入终端产品)的玻璃基板技术,即采用GCP玻璃线路板技术的首批国产算力芯片将于2028年初上市。GCP玻璃线路板技术峰会为2030年代的AI芯片带来了玻璃基板终极设计方案。


iTGV主论坛首位演讲嘉宾来自美国Pacrim 公司创始人、玻璃基板技术的早期发明人之一Wei Koh 。《玻璃芯基板:机遇与挑战》演示文稿回顾了玻璃芯基材技术的开发现状及现状,并分析了其在人工智能/高性能计算、先进系统级封装、射频、图像传感及集成光学应用领域的目标市场。报告指出了关键的制造障碍——玻璃热膨胀系数工程、TGV缺陷检测以及微裂纹/SeWaRe可靠性风险——并认为克服这些障碍需要构建一个结构紧密、垂直整合的供应链,能够支持面板级玻璃封装。


深圳市中兴微电子技术有限公司先进封装技术总监张阔从AI算力芯片的应用角度分享《玻璃基板的技术挑战与发展趋势》。解读了玻璃芯基板在先进封装领域的发展趋势与技术难题。芯片性能提升让封装尺寸不断加大,对基板翘曲控制提出更高要求。玻璃材料热膨胀系数适配硅材、温变温度与模量表现优异,质地均匀、承载能力强。玻璃芯基板相较传统有机芯基板,平整度、热稳定性和机械稳定性更突出,适配大尺寸封装。同时该产品还可拓展至光电合封领域,玻璃中介层技术也具备良好发展潜力。


中国科学院微电子研究所副研究员陈钏《玻璃基板的形变与应力分析》主题报告回答了应力演化与形变控制是玻璃基板制造及集成过程中的核心问题。本报告聚焦 TGV 加工、多层叠层、芯片封装及板级集成等关键工序,剖析材料物性与结构参数对基板应力与形变状态的影响。通过分析玻璃基板制造、集成过程中的应力与失效机制以及形变规律,期望为基板用玻璃材料研发、基板结构设计及工艺优化提供借鉴。


深圳市华汉伟业科技有限公司刘昭阳带来量产级TGV 全工艺流程 AOI 检测方案。TGV技术的量产爬坡面临诸多挑战:如批量来料的波动、诱导的一致性、铜-玻璃界面的热失配,叠加玻璃脆性易损特性等,每一步都可能埋下失控隐患。传统检测手段在量产面前已经力不从心——行业普遍存在抽检覆盖面不足、单一光学模态无法兼顾透明基板成像与内部缺陷透视、工序数据孤岛导致缺陷根源难以追溯等问题,是拖慢TGV量产进程的主要障碍之一。华汉伟业依托自主研发的智能视觉平台,融合AOI、3D计量与X-ray等多模态技术,推出量产级TGV全流程检测方案。从来料、激光诱导、湿法刻蚀、PVD、电镀填孔、研磨抛光到RDL重布线,实现全链条检测闭环与数据互通。设备适配全自动量产产线,检测灵敏度达200nm,3D高度重复性优于10nm,单站节拍匹配20WPH。从“事后抽检”到“全流程智控”,华汉伟业已为多家头部半导体封装厂商提供量产级解决方案,持续赋能中国智造向更高精度、更高可靠性迈进。


沃格集团副总裁、湖北通格微电路科技有限公司王鸣昕分享主题报告《基于GCP 的玻璃多层互联叠构载板技术重构》。沃格集团已建成东莞中试线、天门量产线等产线,可生产TGV多层线路板,是全球少数掌握该技术的企业之一。集团在玻璃基板在耐热性、信号完整性、可加工尺寸上全面超越有机基板,成本仅为硅基板的1/8,且工艺更简单。全玻璃互联技术取得突破,通过TGV通孔、多层堆叠等技术,实现高密度互联,改善了有机基板的应力累积与热失配问题,突破“面积墙”限制。目前行业面临产业链配套不完善、加工良率低等问题,但未来可拓展至CPO、毫米波通信、Mini LED等前沿领域,潜力巨大。


中国玻璃线路板产业联盟(GCPA) 也在会上正式宣告成立。来自产业链上下游的8位重量级嘉宾共同按下启航手印,与现场数百名行业精英共同见证这一里程碑时刻。出席启动仪式的嘉宾包括:SCHMID集团副总裁Nicolet Laurent、中船集团第八研究院先进技术研究院副主任高国明、成都奕成科技研发资深总监吕敬、沃格光电创始人兼通格微董事长易伟华、安捷利美维封装研发总监刘斌、合肥沛顿存储副总经理吴政达、无锡中微高科总经理助理李轶楠、深圳圭华智能副总经理严家增。

广东佛智芯微电子有限公司总经理华显刚带来主题报告《高密度封装玻璃基板挑战及其解决方案》。随着AI 算力与芯片集成度快速提升,传统有机基板成为性能瓶颈,玻璃基板凭借低损耗、高平整、热匹配硅等优势,成为先进封装关键载体。当前玻璃基板产业化面临通孔不良、玻璃金属结合力弱、易碎裂三大核心挑战。佛智芯通过激光选择性诱导刻蚀实现高精度 TGV 制备,搭配 AOI 检测保障通孔率 100%;开发多套表面处理与金属化方案,大幅提升结合力;采用介质层缓冲、边缘保护、工艺优化等解决裂纹问题。同时突破玻璃键合、多层堆叠、沉槽等工艺,产品通过多项可靠性测试,可覆盖 FCBGA、Chiplet、CPO 等场景。公司专注玻璃基板与异构集成技术,拥有多项专利与权威奖项,具备大尺寸基板量产能力,可为高端芯片封装提供一站式国产化解决方案。


芬兰VTT技术中心专家、PHOSPACK Tmi 创始人Giovanni Delrosso发表主题演讲《一款集成长链型玻璃通孔(TGV)链路的玻璃多层中介层样品用作信号与电源完整性(SIPI)设计验证测试载体》。这一款面板级制备的玻璃多层中介层样品,可对长链型玻璃通孔(TGV)链路开展全面的信号与电源完整性(SIPI)验证测试。随着先进封装技术复杂度持续提升,高密度互连结构的信号可靠传输与供电稳定性保障,已成为行业一大难题。该测试样品依托玻璃基板低介电损耗、尺寸稳定性佳、高电阻率等优异的电学与力学特性,针对性解决上述问题,可为研发、设计及工艺人员提供实用测试载体,用以应对当下各类技术难题、权衡设计方案。此中介层采用多层玻璃结构,搭配不同规格尺寸、节距的玻璃通孔,配备多样接地屏蔽方案与线宽线距组合。不同通孔数量的重布线层(RDL)布有高速线路,可完整反映长距离互连链路中的信号劣化特征,包括插入损耗、回波损耗、串扰、阻抗突变等问题。同时,该样品也能呈现不同负载条件下,电源分配网络(PDN)的压降、噪声耦合、谐振等特性。本样品架构具备可扩展性,测试复杂度可灵活调整,适配时域、频域等各类测试手段。研究证实,玻璃基多层中介层是高性能集成的优质方案,尤其适用于低损耗信号传输、高电源稳定性要求的场景。该载体也为先进封装的设计方法与仿真模型验证搭建了实操框架,有效填补玻璃通孔重布线互连结构理论仿真与实际制造之间的差距,助力玻璃基多层中介层在高速、高密度电子系统中落地应用。


武汉帝尔激光营销副总裁李彦斌介绍了量产级的TGV钻孔一体化方案。深度受益于 AI、HBM、CPO 与新型显示产业爆发,帝尔激光通过激光改质 + 化学蚀刻 + AOI 检测一站式方案实现TGV技术的全面覆盖,将带动国内玻璃基板封装产业链的协同发展。


PLANOPTIK AG 公司市场经理Markus Wagner带来《玻璃核芯基板赋能下一代先进封装》。后摩尔时代,玻璃核心基板(Glass Core Substrates, GCS)凭借超低介损、高平整、高刚性、可光电融合四大核心优势,成为替代硅中介层与有机基板(ABF)、支撑2.5D/3D 封装、Chiplet、HBM、CPO的下一代先进封装核心底座;PLANOPTIK 以TGV(玻璃通孔)+ 铜金属化 + 高精度玻璃基板全栈技术,提供量产级 GCS 解决方案,赋能 AI 算力、高速通信与新型显示产业升级
下午进行iTGV核心论坛——GCP2026玻璃线路板技术峰会以玻璃为核心绝缘层,表面 / 内部制作高密度金属线路与多层玻璃通孔堆叠的新一代高频、高速、高可靠线路板,用于替代高端有机 PCB 与部分硅中介层,适配 AI、高速光通信、CPO、太赫兹等场景。GCP论坛同时聚焦玻璃基CoPoS/PLP从310mm X310mm起步的面板级封装工艺新进展。

澄明芯智微电子科技(宁波)有限公司首席执行官周华担当GCP技术峰会主持人

沛顿科技副总经理吴政达担当GCP技术峰会主持人
制局半导体(南通)有限公司战略总裁魏建东介绍了《突破封装边界——制局半导体致力Chiplet模组制造革命》,以CoPoS®封装架构”突破CoWoS体系,通过玻璃基TGV/2μm UHD-FOPLP工艺攻克“存储墙/功耗墙”,实现18.4TB/s/mm²互连密度, AI算力成本降66.8%($205/模组),车规级5,000次温度循环寿命(超国标233%)。制局半导体用超大尺寸面板(Panel) 替代传统圆形晶圆(Wafer),实现单面板上百颗芯片的批量集成,以有机+玻璃载板为基础,搭配CMP平坦化与RCTE匹配设计,从根本上抑制翘曲与应力问题。工艺流程高度自动化,通过激光直写光刻、多道中间测试(Panel级测试),实现全链路缺陷控制。制局半导体通过工艺环节环环相扣,打造出“超高密度+大规模+低成本制造”的CoPoS方案,为后摩尔时代的Chiplet模组制造提供了极具竞争力的路径,也标志着先进封装从晶圆级向面板级的关键转折。

玻芯成(重庆)半导体科技有限公司副总经理杨林带来主题演讲《GCP关键工艺技术及可靠性研究》。指明摩尔定律放缓推动先进封装迭代,传统有机基板已达性能极限,GCP(玻璃电路板)凭借低CTE、低介电损耗等优势,成为核心替代方案。玻芯成专注GCP工艺研发与生产,依托国内产业优势推进玻璃基芯片产业化,助力我国半导体自主可控。重点介绍了玻芯成大面积的GCP关键工艺技术、可靠性研究及优化方案,并结合GCP应用需求,展望产业趋势并提出协同攻关建议。

安捷利美维电子(厦门)有限责任公司封装研发总监刘斌介绍《基于玻璃芯的下一代ABF封装基板》。玻璃具备低介电损耗、接近硅的低热膨胀系数、纳米级超平整度等特性,可支持 120mm×120mm 以上超大尺寸封装,相比传统有机芯基板可实现 25%减层,同时提升高速信号完整性,解决 ABF 载板层数提升后的良率难题。玻璃通孔( TGV )是玻璃芯基板量产的核心关键工艺,当前行业已逐步突破高深宽比成孔、金属填充、脆性加工等瓶颈,国内厂商已实现 TGV 玻璃载板小批量供货,未来玻璃芯与 ABF 工艺的融合,将推动先进封装产业实现新一轮性能升级。对于安捷利美维而言,参与论坛有助于公司深入把握行业趋势、强化与上下游伙伴的合作,同时提升公司在玻璃基 ABF 载板技术领域的影响力,为公司的技术研发与市场拓展提供有力支持。

深圳市圭华智能科技有限公司副总经理隆清德介绍量产级的《“玻”动未来:从TGV激光打孔到平板狭缝涂布构建先进封装更广流程解决方案》。随着AI、HPC及Chiplet技术的爆发式增长,玻璃基板凭借其优异的电学性能、尺寸稳定性与高集成度,正成为超越摩尔定律的关键载体。然而,从玻璃通孔(TGV)的高质量成形,到大尺寸面板级封装(FOPLP)中光刻胶、聚酰亚胺等功能材料的超薄高均一性涂布,一直是制约产业量产的瓶颈。圭华智能作为TGV激光钻孔装备领域的长期领跑者,本次演讲首次系统阐述公司从“单点突破”迈向“全流程赋能”的技术战略。最新推出的自主研发的平板狭缝涂布及干燥固化集成系统——该设备专为玻璃基板和FOPLP应用开发,解决了大尺寸(510×515mm及以上)基板涂布中的和种工艺控制的核心难题。同时,将同步展示TGV激光钻孔设备与涂布、AOI检测修复设备之间的智能联动,实现“钻孔-检测-修复-涂布”的高效协同。


北电检测量检测事业部研发总监张朝前带来《TGV在线光学量检测解决方案》。从TGV工艺良率控制面临的挑战、光学量检测技术在TGV领域的应用和面临的挑战,并给出TGV在线光学量检测解决方案。进封装迈入玻璃基板与超微Bump互连时代,北电检测作为半导体量检测中坚力量,将AI深度嵌入检测算法,推出全工艺覆盖的智能检测方案,多款设备已批量出货头部客户。本次重点展出的TGV(RDL)量检测设备以"AI+光学"双擎驱动,提供来料、诱导、打孔、金属化RDL一站式量检测设备方案。3D AOI设备集多功能为一体,支持微凸点Bump、小线宽RDL、残胶等多维度量检测,内置多模态AI算法,实现复杂先进封装三维结构的自适应识别与高精度量测。


厦门云天半导体科技有限公司于大全主题演讲《基于玻璃通孔三维堆叠技术进展与应用》聚焦玻璃基板三维堆叠的前沿进展。作为国内少数同时掌握玻璃通孔技术研发与产业化经验的专家,于大全带领团队在玻璃基三维电容研究中取得突破,开发出低损耗高电容密度三维电容器,实现玻璃衬底无源器件系统性创新,形成射频微系统三维集成解决方案。报告中,他结合了厦门云天半导体的产业化实践为行业破解技术瓶颈提供思路。当前,我国先进封装产业正处于“国产替代加速、技术迭代升级”的关键阶段,云天半导体玻璃基板技术的突破将为我国半导体产业实现自主可控提供重要支撑。

华封科技技术总监鍾泳珹《玻璃基板赋能SiP封装:SiP模组性能優化的解决方案》中指出,先进封装与终端产品设计深度融合将成为重要趋势,驱动对先进封装及其整线解决方案的需求快速增长。而华封科技是后摩尔时代高端先进封装核心设备及相关解决方案的全球领导者,自2025年起迭代2.0运营模式如何帮助客户实现系统级先进封装能力从无到有的突破,并突破性地在行业生态中创造出先进封装整线解决方案市场,且在打造华封第二增长曲线的同时助力半导体产业升级发展。


LPKF董事总经理Managing Director介绍了《从 TGV 到产业生态:LIDE®激光诱导深度蚀刻技术如何重塑玻璃的应用边界》。玻璃因其优异的热稳定性、电绝缘性和光学透明性,被视为先进封装与微系统领域的理想基材。然而,传统加工方式易导致微裂纹、碎屑和残余应力,长期制约着玻璃的广泛应用。LPKF专利技术激光诱导深度蚀刻(LIDE ®)通过两步法工艺“激光改性加湿法蚀刻”突破了这一瓶颈。该技术可实现深宽比高达1:50、最小孔径5μm的精密微结构,且加工后玻璃无缺陷、无应力,机械强度与光学性能得以完整保留。玻璃通孔(TGV)是LIDE®的重要应用,但其能力远不止于此。该技术可同步加工玻璃通孔,盲孔,空腔、微流控通道、弹簧结构等多种几何形态,大幅拓展了玻璃的设计空间。本次演讲围绕LIDE®技术如何重塑玻璃应用边界展开:在半导体先进封装领域,助力面板级与晶圆级TGV实现量产验证;在MEMS领域,提供高断裂强度的无缺陷微系统;在前沿领域,支撑量子计算离子阱、真空腔体等高精度组件的开发。

RENA业务发展经理Valeria Samsoninkova发表了《 不同玻璃类型中玻璃芯封装基板的玻璃通孔(TGV)形貌调控》。玻璃芯基板作为新一代封装基板,相较传统有机基板实现了重大性能提升,有效解决了翘曲、热管理、热膨胀等关键问题。新型封装基板所用的玻璃面板需制备高密度微孔,即玻璃通孔(TGV),这些通孔后续填充导电材料,可作为电信号或热管理的垂直互连结构。玻璃通孔的主流制备工艺为激光诱导选择性刻蚀,该工艺先通过激光处理改性玻璃材料,再进行刻蚀工序。激光改性会改变玻璃的结构特性,使改性区域与未改性区域形成刻蚀速率差异,从而提升刻蚀选择性。玻璃材料的核心优势之一是可调节热膨胀系数(CTE),同时还具备多种规格可选、尺寸稳定性佳的特点。封装应用对玻璃热膨胀系数的多样化需求,催生了多款适配该场景的玻璃类型,不同玻璃在加工过程中表现出不同特性,会形成形貌各异的通孔,进而影响最终产品性能,直形通孔和X形通孔是该现象的两种极端表现。通孔形貌受刻蚀工艺影响显著,目前该应用场景下主要有酸性刻蚀和碱性刻蚀两种工艺,其中氢氟酸(HF)基刻蚀剂为酸性刻蚀的常用试剂。本报告介绍了一种基于特殊碱性工艺的创新刻蚀技术,并与传统酸性刻蚀工艺进行对比。该新技术可实现玻璃通孔形貌的精准调控,这对于实现通孔的密排布局、推动高密度封装具有重要意义。

北京特思迪半导体设备有限公司产品工艺部总监孙占帅介绍了Panel CMP设备工艺的进展与应用。报告围绕板级 CMP 设备工艺进展与应用展开,分享特思迪在先进封装全局平坦化领域的工艺突破与量产验证经验。重点聚焦晶圆级 TGV CMP、板级 TGV CMP、板级 PLP 抛光三大技术方向,系统展示大尺寸面板全局平坦化解决方案,深入阐述工艺适配性与产业化能力,为高端先进封装集成提供高效、稳定、可靠的 CMP 技术支撑。

星柯光电产业研究院院长王坤分享《共构生态·共赢未来一 TGV 技术赋能 CPO 与算力革命》。星柯光电是国内领先的高端半导体显示材料制造商,专注TGV技术研发与生产,已构建从TGV专用半导体显示基材到成品的全产业链自主闭环体系。公司在绍兴建成完整TGV工艺中试线,攻克基材-金属界面结合力等行业核心卡点,与浙江大学绍兴研究院联合突破PVD种子层沉积关键技术,目前已向国内头部光模块、算力芯片厂商送样验证,计划2027年实现批量供货。星柯秉持“共构、共享、共创”的产业生态理念:联合上下游设备与材料厂商共研专用技术,打通产业链关键节点;全面开放中试基地共享技术验证平台,降低行业研发门槛;发起TGV产业创新联盟、设立专项产业基金,联合高校院所共创前沿技术与行业标准。诚邀各界伙伴携手,共同推动TGV产业规模化发展。

深圳市矩阵多元科技有限公司副总经理扶庆在《破解大尺寸面板级玻璃基板封装量产瓶颈种子层金属化PVD系统解决方案》中概述了先进封装市场及技术发展趋势, 阐述了面板级先进封装PVD量产过程中遇见的难点及解决方案,说明PVD深孔溅射的技术原理。DEP600是矩阵科技专为扇出型面板级封装设计的种子层金属化量产设备,该设备专为大尺寸(510mm×515mm及以上)面板级先进封装设计。

中兴通讯股份有限公司资深专家魏新启作《玻璃基板GCB设计、加工及焊接工艺技术》报告,分享了玻璃基GCB设计、加工、焊接的核心工艺要点,结合产品研发制造全流程,详解技术难点、工艺优化思路与焊接关键举措。先讲解产品定位、设计原则,依据应用场景确定电气、机械性能指标;再结合精密加工要求,说明精度管控、表面处理等工艺要点,攻克尺寸偏差、表面瑕疵等问题;最后讲解焊接核心技术,介绍焊接方式、参数调试、焊前预处理与焊后检测。依托全流程技术拆解和优化方案,为玻璃基GCB高效研发、精密生产与可靠应用提供工艺保障和实操借鉴。演讲指出玻璃基内嵌器件(GPE)是后摩尔时代高密度异构集成的核心方案:通过在玻璃基板内制作空腔,将裸芯片直接埋入,再以玻璃通孔(TGV)+重分布层(RDL)实现互连。对比硅中介层(TSV)和有机基板(FC-BGA),玻璃基方案在翘曲度、互连密度(<2μm)、高频损耗上表现出显著优势,成本也处于合理区间。在焊接组装环节,玻璃基方案面临两类核心挑战:玻璃基芯片与有机PCB的焊接、玻璃基芯片与玻璃基GCP的焊接,两者均对工艺精度提出了极高要求。面向未来,中兴提出了两大技术方向:一是材料层面,推动树脂体系、铜箔工艺、电子布向低介电、低损耗方向演进;二是架构创新,探索玻璃基微封装、玻璃基主板、玻璃基+光波导等方案,以TGV替代传统TSV技术,缩短传输路径、提升信号传输效率,为下一代高速互联提供关键支撑。
iTGV 2026 完全遵循市场化运作,不仅是一场技术会议,更是全球先进封装赛道的战略拐点、中国半导体产业自主可控的关键抓手、玻璃基板生态构建的核心平台,并为 AI / 高速通信时代提供 “超低损耗、高算力密度” 的底层硬件底座。它正在加速 TGV 技术规模化落地,重塑全球先进封装格局,助力中国在后摩尔时代抢占半导体产业制高点。
