2026年5月27日，全球第一场以玻璃基为核心载体的CoPoS技术峰会强势开启。作为iTGV 2026 前瞻的分论坛，遥相呼应台积电CoPoS引领面板级革命。
CoPoS 被视为台积电现有王牌封装技术CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）的下一代继任者。其最核心的创新在于“化圆为方”——将传统封装中使用的圆形硅晶圆（Wafer）替换为面积更大的矩形面板（Panel），与晶圆封装相比，面板级封装（FOPLP）展现出了极具竞争力的技术优势，这也正是台积电、英特尔、三星等全球巨头争相布局的核心原因。不过，CoPoS的量产之路仍面临挑战。由于面板尺寸远大于晶圆，加工过程中的均匀性控制与翘曲抑制是亟待解决的技术难点。
主持人：东南大学集成电路学院副教授、TGV 技术研究团队负责人史泰龙
本届CoPoS技术峰会聚焦玻璃基板在下一代面板级封装的技术突破，直面产业化难点，与封装供应链核心工艺环节企业协同攻坚。助力导体封装将从“晶圆时代”迈向“面板时代”，为人工智能与高性能计算提供更强有力的底层支撑。
佐治亚理工学院封装研究中心顾问刘复汉围绕《CoWoS → CoGoS：面板玻璃取代硅晶圆——先进封装领域的革命性变革》展开深度分享，系统梳理了玻璃基板技术的发展历程与产业价值。2011年台积电推出CoWoS硅基封装技术，凭借超高互连密度开创2.5D中介板封装里程碑，长期垄断高端先进封装市场，适配高端芯片的封装需求。迈入AI算力时代，CoWoS技术的短板日益凸显，高昂成本、圆形尺寸限制、规格局限等问题，严重制约了大算力芯片的产业化发展。传统先进封装追求高密度互连、高性能、低成本三大核心要素，而当下多芯片异构集成的行业需求，新增了大尺寸基板的核心要求。
在演讲中，刘教授表示，对比硅片、有机基板等主流材料，面板玻璃成为唯一能全面满足四大需求的材料。基于此，行业催生了替代CoWoS的CoGoS玻璃基封装技术，实现传统圆形硅基封装向大尺寸面型玻璃封装的革新。CoGoS可在玻璃基板双面制备高密度重布线层，直接对接PCB板，省去有机基板过渡环节，将三级封装精简为二级封装，大幅提升芯片性能、降低生产成本。在此基础上迭代的CiG技术，进一步缩减封装体积、优化性能、压缩成本。报告还介绍了TGV玻璃通孔技术的结构、制备工艺，其可实现每层每毫米500IOs以上的超高互连密度，同时梳理了全球玻璃基板产业发展现状。最后，内容客观剖析了玻璃基板封装目前面临的技术与产业化挑战，并对其未来赋能AI先进封装、替代传统硅基方案的广阔前景作出展望。
奥芯半导体CEO莫建勇在《高算力驱动下的先进封装与封装基板技术演进及趋势》报告中指出，当下半导体晶体管性能已逼近物理极限，行业算力提升不再依赖单管性能突破，而是依靠晶体管规模化堆叠，芯片互联技术由此成为高算力迭代升级的核心突破口。随着AI大模型与高性能算力需求持续爆发，传统单芯片架构难以适配高端算力场景，倒逼先进封装与封装基板技术快速迭代升级。报告系统复盘了高算力芯片的互联体系升级路径，短距Die-to-Die互联依托CoWoS、EMIB、混合键合等先进技术，实现芯片间高效信号传输；Package-to-Package互联则向NPO、CPO光电互联方向演进，有效解决传统电互联的带宽不足、传输损耗大等行业痛点。同时，报告重点剖析了封装基板的迭代价值，强调玻璃基板凭借高密度布线、低介电损耗、高热稳定性的核心优势，完美适配先进异构封装的极致要求，是支撑高算力芯片落地的关键基材。此外，莫博士结合一线产业实战经验，拆解了高算力芯片互联架构的设计逻辑与规则要点，梳理了当前工艺量产落地的核心难点及突破路径，并前瞻展望了下一代芯片互联与封装基板技术的发展趋势，为高算力芯片异构集成技术的产业化落地提供了极具实操性的前沿思路与行业参考。
AQLASER Co., Ltd.总经理Ji-hun Choi《用于玻璃芯基板的激光分离技术》演讲介绍了TGV（玻璃通孔）、 TCV（陶瓷通孔）和 GCS（玻璃芯基板）的激光应用技术、金属化技术和检测技术，这些技术在先进半导体封装领域备受关注。并分享了与韩国、台湾与美国的试产验证结果。
肖特高级经理张广军在《特种玻璃助力新一代半导体先进封装》中介绍在众多封装材料中，特种平板玻璃因其独特的物理，化学和加工特性，逐渐成为推动新一代半导体先进封装的关键材料。SCHOTT基于在玻璃领域的技术专长，通过材料的创新支持集成电路行业发展和推动摩尔定律的步伐进一步向前。本报告进一步探讨特种平板玻璃在半导体封装中的应用优势，包括其优异的热稳定性、电绝缘性和机械强度，以及在提升封装密度和性能方面的潜力。同时，报告还分析玻璃在应用中的挑战和未来发展趋势，以及特种平板玻璃在结构化和金属化等方面的产品应用和性能。
SCHMID集团副总裁Laurent Nicolet介绍了玻璃芯基板面板级CMP工艺。基于通孔玻璃技术（TGV）的玻璃芯与中介层平台在先进封装领域日益受到青睐，这得益于其优异的尺寸稳定性以及对大尺寸面板格式的适用性。然而，这些系统在表面平面度和多材料集成方面存在显著挑战。本报告综述了基于玻璃基板的集成工艺流程，涵盖TGV结构形成、金属化处理及介质层堆叠技术，并重点阐述了适用于大面积面板的工具架构。
在此背景下，化学机械平坦化（CMP）被视作关键工艺，可用于控制玻璃、聚合物和铜等异质材料的整体厚度变化（TTV）及局部形貌特征。SCHMID研究重点聚焦于介电层与铜层之间以及铜层与介电层之间的化学机械抛光（CMP）工艺开发，着重探讨铜层凹陷与聚合物侵蚀之间的权衡关系、终点检测技术、缺陷控制以及面板内部均匀性等问题。同时，针对CMP后清洗与表面处理等集成环节，从良率和工艺稳健性角度进行了深入分析。
工源三仟创始人兼总经理刘瀚祺介绍了破局玻璃基板TGV电镀检测技术。本次演讲主要聚焦于玻璃基板市场中玻璃通孔（TGV）电镀的检测痛点与技术突破 。当前，行业面临着检测效率与精度难以兼顾、且缺乏统一检测执行标准等核心痛点 。针对电镀断层、气泡及微纳米级缺陷的检测需求 ，传统的进口品牌（如Nordson）仍受限于微米级精度，不仅2D和3D检测效率较低，且缺乏针对复杂工艺和材质差异的AI自动识别判定能力 。
为解决上述难题，工源三仟通过优化设备硬件结构及关键部件的选型配比，成功实现了2D全检效率与精度的同步提升 。目前，针对510*515尺寸的产品，其2D全检仅需30分钟即可同步输出缺陷点位与类型 。同时，公司通过与终端客户及电镀设备厂商的深度合作，积累了大量真实缺陷数据用于AI模型训练，弥补了进口厂商在AI模型上的短板，形成了显著的差异化竞争优势 。在未来布局方面，工源三仟将致力于在线X-ray与在线CT设备的推广、高精度射线源的验证应用以及AI缺陷模型的持续迭代 。除了TGV，相关设备也已布局先进封装市场，用于检测RDL、Ubump和TSV等产品 。工源三仟将秉持“实事求是，专业精神”，致力于实现成为“全球工业CT内在质量洞察与智能分析的领导者”的目标，与全行业携手共创未来 。
SHINDO Eng. Lab., Ltd. 先进技术中心研发经理Eunsook Park《TGCV 适用于高可靠性通孔应用的玻璃陶瓷基板》报告指出，人工智能处理器为代表的高性能半导体器件需求提升，传统核心基板的 ABF 和FR4，以及用于 RDL 绝缘层的聚酰亚胺——其热阻性能本身较差，与高性能半导体封装所需的散热要求存在根本性不匹配。这种热限制凸显了对无机基板解决方案的需求。传统的无机陶瓷基板长期以来一直是汽车功率半导体、高功率LED、图像传感器、表面声波滤波器（SAW）及晶体器件等众多领域中不可或缺的电路平台。
近年来，玻璃基板也因其成本优势、表面平整度以及大面积可扩展性而受到广泛关注。玻璃陶瓷是由非晶态玻璃与结晶陶瓷相组成的复合材料，既具备大面积可加工性，又能实现高达800°C的耐热震性和耐高温性能。其部分结晶的分子结构还有助于在高速信号切换条件下降低介质损耗。在本报告中，Eunsook Park还介绍了两项关键技术：基于光刻技术的玻璃陶瓷通孔（TGCV）成型技术；采用钼铜合金真空填充技术替代传统的通孔铜电镀工艺。这两项技术均已申请专利，是长期研发工作的成果。
通快霍廷格亚洲市场开发的负责人张珅带来《TGV种子层涂层的 HIPIMS 是什么？》。身为先前于德国深造理工技术，张珅介绍通快霍廷格电子TRUMPF Hüttinger 为玻璃基板提供从表面活化到种子层填充的完整方案。其核心是采用HIPIMS技术制备TGV种子层，该技术在填充高深宽比、铜附着力和阶梯覆盖率三大关键性能上均优于传统工艺，有效解决了深孔内壁成膜的行业痛点。
杰希优（深圳）贸易有限公司技术部部长沈晓鹰介绍了玻璃基板的微细线路形成。随着AI，HPC的快速发展，对玻璃基板及PCB的微细线路提出了更高的要求，为此JCU公司可提供微细线路形成所需的填孔电镀液以及快速蚀刻液。根据市场的需求，开发新的产品及提出解决方案。
在圆桌论坛，围绕各类经过验证开发的高性能基板用在CoPoS的潜力话题，分别从氮化硅基板、玻璃基板、陶瓷基板、碳化硅基板、蓝宝石与金刚石基板展开性能与优势的对比应用在不同封装结构与环节，为CoPoS的预研与开发提供了可靠性方案。
圆桌论坛由苏州反应链新材料公司CEO梁中华主持，分享对话嘉宾来自无锡正能齐力 ECO强敏方、肖特集团高级经理张广军、四川虹科创新研发高级经理赵红梅、武汉利之达科技股份有限公司创始人陈明祥、天通银厦CTO康森、南砂晶圆常务副总经理于国建、碳六科技董事长吕继磊。
