5月29日，无锡国际会议中心，iTGV 2026 应用论坛——FOPLP2026扇出面板级封装合作论坛聚焦玻璃芯基板（GCS）+玻璃转接板在下一代PLP的试验证的最新成果，促进面板级封装走向高性能应用转型。
FOPLP 2026 扇出面板级封装合作论坛带来了18场精彩报告，从封装集成到工艺整合再到原材突破，旨在颠覆现有板级封装架构，以玻璃基板取代基于硅中介层的CoWoS，从而实现从 CoPoS 到最终基于 FOPLP 的 CoGCS 封装的过渡，推向PLP工艺面向高阶。众多报告中介绍了CoPoS 、 EMIB 中的玻璃芯/RDL 结构，以及来自扇出玻璃面板的示例，以说明可行的 CoGCS 路径。讨论了 FOPLP 制造的玻璃芯基板的行业发展趋势、技术需求和市场机遇。
FOPLP 2026同时关注多种基板技术在现有汽车电子、卫星、功率器件芯片、电源管理芯片、CMOS图像传感器芯片、基带芯片、射频芯片、音频处理芯片、应用处理器芯片等领域的应用。
华天科技（昆山）研究院院长 & 研发总监马书英担当FOPLP2026上午场主持人
江西沃格光电集团股份有限公司北京负责人、董事长助理陈靖心担当FOPLP2026下午主持人
华封科技副总裁、资本负责人伍茜担当FOPLP2026下午主持人
FOPLP2026扇出面板级封装合作论坛首场报告来自美国Pacrim技术公司创始人Wei Koh分享《FOPLP 进展 -CoWoS, CoPoS 与 CoGoP》。本次报告梳理了扇出型面板级封装（FOPLP）技术的发展脉络。该技术旨在替代传统采用硅中介层的集成扇出封装（CoWoS），推动封装技术先向玻璃芯协同封装（CoPoS）演进，最终落地为基于FOPLP的玻璃芯集成封装（CoGCS）方案。报告结合台积电CoPoS、英特尔嵌入式多芯片互联桥（EMIB）两大技术案例，搭配扇出玻璃面板打造的玻璃芯与重布线层（RDL）结构，具体阐释了CoGCS技术的可行实现路径。
报告同时围绕FOPLP工艺制备的玻璃芯基板，深入分析其行业发展趋势、核心技术要求以及潜在市场机遇。随着先进封装不断向高密度、大尺寸、低成本方向发展，传统硅中介层方案在成本与工艺拓展性上逐渐显现短板，而FOPLP凭借面板级量产优势，成为替代现有技术的重要方向。玻璃芯基板凭借优异的材料特性，与FOPLP工艺高度适配，能够有效提升封装整体稳定性与性能表现。综合来看，FOPLP结合玻璃芯基板的技术路线，不仅打通了从CoWoS到CoPoS再到CoGCS的完整升级路径，也为高端先进封装领域开辟了全新的市场空间，相关技术研发与产业化落地具备广阔前景。
Lam Research 高级总监Frank Su带来《通过探索PLP（面板级封装）技术实现异构集成的无限可能》。报告指出基板市场持续扩大以及PLP市场的扩张预计将带来诸多经济效益。然而，这两个市场都面临着诸多共同的挑战，其中最突出的是缺乏统一标准。PLP技术还面临另一个额外挑战——其在大批量设备应用中更具成本效益，这限制了整个市场规模。目前，这两个市场对技术和设备的要求正日益趋同。这种趋同有望形成足够的规模，从而推动设备市场稳健发展。报告探讨了这两个市场在技术需求上的趋同趋势，以及这一趋势如何助力未来建立更强大的设备供应商体系。此外，随着Lam Research收购semsysco公司，Lam Research 在芯片间或芯片与基板异构集成领域的先进封装能力也得到了显著提升。报告中分享了一些与终端客户与封测厂的实际验证的可靠性案例。
成都奕成科技股份有限公司首席市场官李枭分享《板级封装市场与技术发展趋势》。板级封装异军突起，全球产业链围绕板级高端封装产能与技术加速布局，不仅重构算力体系，更成为AI 产业竞争与供应链安全的核心赛道。演讲以先进封装为切入点，深入解读板级封装的市场格局、技术发展趋势及未来潜在方向。对比了CoWoS与CoPoS两种技术路线，指出CoPoS凭借其灵活性及成本优势，正朝着高密度与异质集成方向快速发展。目前，成都奕成公司已在国内率先实现板级FOMCM的量产，该技术主要应用于AI/HPC领域的高密度互连需求，并结合FO-EB工艺进一步提升了互连密度。未来，CoPoS将向高密基板、System on Panel及玻璃基板等方向演进，需应对工艺与材料挑战，总体朝着优化功耗、提升集成度、兼顾成本与效率的目标推进。
盛美半导体设备（上海）股份有限公司工艺副总裁贾照伟介绍《面向AI芯片的先进封装FOPLP与电镀技术的机遇与挑战》。AI 算力爆发推动先进封装成为芯片性能突破核心，FOPLP 以面板级集成、高性价比优势，成为 AI 边缘计算等场景的重要方案，而电镀技术是其 RDL、微凸块等核心工艺的基石。本次演讲将聚焦二者协同发展，解析 AI 芯片需求下，电镀技术助力 FOPLP 实现高密度互连、降本增效的产业机遇。
目前盛美相关板级电镀设备已出货，旗下面板级先进封装电镀设备内置水平式电镀腔体架构，集成预湿、后清洗、镀膜等一体化制程，大幅提升整体制程效率与工艺稳定性。性能层面依托面板水平运转、电镀液大流量循环、专利水平桨板三大核心优势，Ultra ECP ap-p 设备的巨柱（mega pillar）电镀速率可达传统垂直电镀设备的近两倍；同时柱高 COP 偏差仅为传统垂直设备的一半。设备尺寸适配性灵活，原生支持 510×515mm 大板，可兼容扩展至 600×60mm、310×310mm 主流面板规格。核心技术亮点为全球独家专利多阳极局部电镀技术，可精准均衡面板边角电场分布，解决大面积电镀均匀性难题，同时杜绝电镀液交叉污染；搭配高速电镀工艺与专利桨板结构，把 515×510mm 面板面内均匀性控制在 7% 以内，310×310mm 面板精度可达 5% 以下。
德国4JET 集团业务发展副总裁Klaus Schiffer带来《采用超快激光切割技术对玻璃芯板进行加工获得卓越的边缘质量》报告指出，业界采用尺寸为510毫米×515毫米的全面板GlassCore（含两侧 ABF 层）分离成芯片单元时，必须确保最高的良率和质量——因为此前多个工艺步骤已显著提升了每个芯片单元的价值。若玻璃核心内部因切割工艺不当而产生裂纹，即使最终产品在生产过程中未发现缺陷，也可能导致其性能延迟失效。
采用4JET IP防护型enP（增强纳米穿孔）激光切割技术，并结合适用于窄 ABF 沟槽的自动化分离系统，可实现最高边缘质量——无裂纹或剥落现象，从而有效防止SeWaRe层在热应力作用下因裂纹而失效。本次演讲深入解析由前康宁激光技术公司（CLT）研发的独特IP防护型增强纳米穿孔（enP）激光工艺；该公司自2025年起已成为4JET集团成员，专门从事玻璃切割业务，并配备专用光学元件及全在线式设备。激光玻璃切割可通过多种不同的光学配置实现，例如细丝化光学系统、贝塞尔光学系统或增强型贝塞尔光学系统等。本文将对这些不同配置在切割速度、加工质量和成本方面的优劣进行详细对比分析。
TOMOCUBE, INC.业务发展团队经理Hyunkuk Cho带来《采用全层断层扫描技术对玻璃基板进行三维无损分析及性能提升》。玻璃基板已成为人工智能加速器、高带宽内存、共封装光学（CPO）等新一代先进封装的核心载体，针对其开展精密无损检测的需求愈发迫切。光学显微镜、X 射线成像等传统检测手段，面对透光材料存在固有短板，难以满足良率管控对检测分辨率与灵敏度的要求。全息层析成像（HT）技术，这是一种无需标记、非侵入式的三维成像技术，可全面完成玻璃基板检测。该技术能以亚微米级分辨率重构透明样品的三维折射率分布，无需制样、染色，即可直观观测并量化内部缺陷、表面粗糙度与结构完整性。演讲结合实例，展示了全息层析成像模块在玻璃基板及玻璃通孔（TGV）结构检测中的应用，可在工艺早期识别微裂纹、空洞、分层等问题。该技术可集成至产线实现在线 / 准在线检测，助力缺陷早发现、根因分析，有效提升产品良率、优化生产工艺。针对传统检测难度极大的共封装光学（CPO）器件（本身具备透光特性），本技术同样适用。实测表明，全息层析成像可输出有效检测数据，兼顾研发表征与量产质量管控。随着玻璃基板产业生态逐步成熟，亚洲各大厂商也纷纷开展试产验证，全息层析成像技术恰逢其时，具备极高的实用价值。
鑫巨（深圳）半导体科技有限公司首席技术官Mr. Marcus Elmar LANG带来《TGV·从样片转移到量产的挑战》。本报告重点分析了玻璃通孔（TGV）技术从样品研发走向批量量产的核心技术难题。当前TGV技术在样品与实验室阶段，已验证出优异的电学及射频性能，但样品设计与量产产品的实际需求存在显著差异，在工艺性能、生产时长两大量产关键维度面临诸多瓶颈。一方面，现有样品工艺制备的通孔孔径、通孔形态，与量产产品适配封装散热、损耗控制的实际孔径要求不匹配；另一方面，束状通孔与孤立通孔的结构差异，难以实现均匀的通孔桥接与填充效果，不仅大幅提升工艺难度、拉长生产周期、增加制造成本，也极大阻碍了TGV技术的产业化落地。针对以上量产痛点，国内先进封装湿制程设备企业鑫巨半导体，可提供成熟的国产化解决方案。鑫巨深耕湿制程设备研发与工艺开发，具备“设备+工艺+材料”一体化服务能力，多项核心技术实现自主突破。其自研SPP单板多制程设备可实现2微米超高密度载板加工，电镀一致性误差控制在5%以内，可完成20:1高深宽比TGV无气泡、无凹陷高质量填孔，筑牢玻璃基板量产工艺基础。设备适配性极强，可兼容玻璃、有机、陶瓷等多种基底，支持晶圆级、面板级多尺寸加工，全面覆盖FCBGA、Chiplets、2.5D/3D等主流先进封装场景。同时，其DDV/FET量产垂直光刻设备可达5微米图形分辨率，生产效率达180片/小时，可适配TGV通孔、RDL线路、中介层等关键工艺，已批量应用于国内头部封装企业，为TGV技术量产落地提供核心设备与工艺支撑。
深圳市芯友微电子科技有限公司CTO盛燕分享《成本与效能双优——芯友微 FOPLP 技术产业化突破与 AI/IoT 领域应用实践》。公司采用创新的FO-PLP技术路径，针对不同功率器件需求设计了差异化工艺。对于小信号器件，采用“芯片先贴附载板→激光钻孔与填镀→模塑成型→剥离载板”的流程；中高功率器件则通过多芯片贴附、模塑及RDL（重布线层）激光金属化处理，结合特殊衬底确保结构稳定性，实现了高密度布线与低应力封装。在边缘计算节点和物联网终端设备中，芯友微的FOPLP技术通过高密度互连和低功耗设计，支持多芯片异构集成，为AIoT设备提供了小型化、低成本的封装解决方案，助力边缘计算设备的性能提升和功耗优化。
深圳中科四合科技有限公司副总经理、技术总监丁鲲鹏分享《先进板级扇出封装创新与应用》。板级扇出封装并非简单的工艺升级，而是以材料、工艺、设备为核心的封装体系全面重构。中科四合自研的板级扇出型封装技术，凭借颠覆性技术架构，在低寄生参数、低热阻、高设计灵活性上形成核心竞争优势。依托铜制程短距离互联、厚铜线路以及灵活的工艺与材料选择，实现了半导体器件/模组在散热与性能的双重优化；同时，板级扇出封装支持全定义叠构与重布线工艺，赋予了客户高度设计灵活性，无需开发塑封模具与封装框架，从而在性能、成本与效率实现完美兼容。
亚智系统科技（苏州）有限公司事业开发部副总简伟铨带来《面板级封装开启AI/HPC 芯片集成潜力》。半导体行业未来发展的驱动力是降低晶片生产成本，而板级封装(PLP) 突破矽片面积的限制，在晶片尺寸变大的趋势下，应用方型基板以增加产能，无疑是实现降本增效的关键解决方案之一。Manz亚智科技投入半导体面板级先进封装技术研发已见成果，已交付针对客户不同面板尺寸310mm/510mm/600mm 以及业界最大生产面积700mm x 700mm 之PLP RDL 生产线；模组机的Panel RDL设备提供客户快速完成产品验证，以及快速扩充产能，技术已通过L/S 5μm/5μm 的验证。并积极投入研发，导入不同制程方式、设备升级突破更细线路。 Manz 亚智科技将深入解析板级封装(PLP)技术如何突破传统封装限制，并分享在高密度 RDL 设计、工艺优化及设备整合方面的最新进展，为先进封装提供更高效、更可靠的解决方案。
昆山东威科技股份有限公司半导体技术总监马荣刚带来TGV PLP Via Filling 板级电镀填孔解决方案。本次演讲以2023年9月18日英特尔提出的玻璃基板TGV应用于下一代先进封装材料为背景，聚焦国内TGV玻璃基板在AI、HPC领域的核心应用方向展开分享。现场展示客户前期玻璃基板打样的产品成果，核心聚焦该规格基板通孔、大孔径、纯铜无包芯填充需求，重点对比水平与垂直电镀填孔的技术优缺点，凸显水平电镀设备在该类大板级、大孔径基板纯铜无包芯填充中的适配性与技术优势。依托二十余年印制线路板行业经验，敲定基于水平电镀设备的510*515大板级玻璃基板TGV纯铜无包芯填充工艺路线，为行业奠定核心技术方向，提供可落地的可行性研究路径。此外，还介绍了PVD磁控溅射设备、RDL图形无接触式电镀填孔设备的核心特性，全方位呈现适配大板级玻璃基板的TGV电镀填孔整体技术解决方案。
奥芯明半导体设备技术( 上海 ) 有限公司 技术市场工程师曹沈炀分《FOPLP 时代的精密贴装与互连技术：从晶圆级到面板级的设备创新》。从产业趋势、技术突破、产品方案及本土化布局四大维度，解析 AI 浪潮下半导体封装产业变革，梳理从晶圆级迈向面板级的设备创新路径，为微异构集成技术落地提供清晰方向。奥芯明依托 ASMPT 全球技术积淀，打造Total Interconnect 全互联先进封装整体解决方案，布局四大核心业务板块：通过收购 SWAT Nexx 事业部并实现本土化研发，以 PVD、ECD 工艺实现微凸点、铜柱与 RDL 制备；并购荷兰 ALSI，补齐晶圆级激光切割、开槽关键工艺；依托 FO、TCB、混合键合一级互联技术，全面赋能 AI 算力芯片、HBM、CoWoS 及硅光 CPO 光电共封装场景；整合西门子 SEIS、英国 DECK 核心技术，完善 SMT 二级互联能力，构建全流程技术闭环。
公司推出Nucleus、Firebird、Lithobolt三大一级互联产品系列，分别对应扇出封装、TCB 键合、异构混合键合三大赛道。Nucleus 系列覆盖晶圆级至超大面板级应用，适配 CoWoS-L 埋球、AI 手机 LPDDR 等场景；TCB 系列专注大芯片翘曲管控与 HBM 量产；Lithobolt 支撑下一代高堆叠 HBM 工艺，对位精度优于 100 纳米。针对 600×670mm 超大板级 FOPLP 封装，Nucleus XL plus 设备性能突出，支持芯片正反贴装、全局精准对位、DAF 键合等工艺，贴片精度高达 ±3 微米，具备多芯片集成、工装自动切换及天车地车自动化上下料适配能力。作为 ASMPT 深耕中国的半导体本土品牌，奥芯明秉持在中国、为中国理念，业务覆盖先进封装、通用 IC、功率器件、车载电子及光电共封等领域，依托全球研发与制造网络，以全套设备解决方案赋能国内半导体产业高质量发展。
苏州亿麦矽半导体技术有限公司业务总监张辉分享《新型芯片底部散热方案在AI 领域的应用和发展》。高功耗芯片需底部与背部协同散热。2016 年，晶圆级扇出（FO-WLP）量产，奠定技术基础。2018 年，板级扇出（FO-PLP）规模化，显著降低成本。Chip First性能最优，但良率门槛高。Chip Last工艺成熟、成本合理，更适合 SiP 封装。当前玻璃基板概念火热，而海外量产突围的主流是 FO-PLP，其工艺兼容、成本可控，是高性能封装的核心方向。亿麦矽从事的板级扇出型封装(Panel-LevelFan-Out Packaging)是半导体先进封装的核心技术之一，通过将芯片直接嵌入环氧树脂等封装基板，并利用重布线层(RDL)实现高密度互连的同时，有效的解决了芯片底部散热能力，是实现先进的CHIPLET的最佳技术路线之一。
科纳微半导体技术（深圳）限公司副总经理陈涛演示了《高密度封装玻璃基板线路修复系统》。随着IC 载板、TGV 等产品精密线路持续微缩，最小线宽线距已降至 10μm 以下，早已突破传统人工修补工艺的能力极限。 科纳微精密线路激光修复设备，可全面适配 TGV、CSP、FC-CSP、BGA、FC-BGA 等高端细线路场景。科纳微 AI 激光线路修复设备最小修复精度可达 5 微米，基材损伤控制在 5 微米以内，远超人工极限。可适配 HDI、SLP、IC 载板、BT/ABF 载板及 TGV 玻璃基板，修复后线路平整无锯齿残铜。采用模块化设计，可连线全自动完成上料、检测、修复、下料，人工成本降低 70% 以上；搭载 AI 视觉算法，可无缝兼容各品牌 AOI 系统，支持 MES 数据追溯与良品比对。设备采用图像采集 —AI 处理 — 激光烧蚀闭环工艺，通过高低能量分步精修 + 残渣清扫，适配 ABF、玻璃、陶瓷等多种材质，已在多家载板及玻璃基板企业落地验证。作为国产替代核心装备，有效打破海外垄断，实现提升良率、降本增效、补齐产业短板三大价值。
Laser apps CEO Eunsuk Jeon带来用于玻璃基板的微裂纹消除激光分选与熔化 TGV 技术方案。报告指出微裂纹是玻璃基板面临的关键问题，尤其在确保受力结构的可靠性方面更为重要。迄今为止，所有成熟的玻璃分片及玻璃通孔（TGV）制造工艺均依赖于产生裂纹的方法。现场还介绍了 Laser apps在无微裂纹分片及TGV加工技术方面的最新进展，提出了一种提升结构完整性和可靠性的新方法。
Ekspla公司OEM激光部门负责人Lukas Rimgaila提出了《用于TGV微加工的超快激光技术前景广阔，但未来发展方向何在？》。在玻璃基板上形成高纵横比孔洞正变得日益重要，尤其是在半导体领域。借助飞秒激光，可以在玻璃上制备出锥度较小、纵横比较高的TGV（Tapered Glass Vessels），且具有高质量——即碎片化程度低、无裂纹且孔洞内壁光滑。采用工作在GHz脉冲模式下的FemtoLux 30设备，通过冲击钻孔技术在玻璃基板上制备高长宽比的TGV（透射光栅）。该技术将单个高能脉冲分割为50个GHz脉冲，不仅能实现高达80%以上的高长宽比，还能通过精确调节脉冲配置，以0.1微米的分辨率精准控制孔洞深度。该TGV制造技术已在多种玻璃材料（包括AN100、BK7、BF33、D263、 EXG 及苏打石灰玻璃）上得到验证。或者，也可以利用MHz+GHz突发模式和自下而上铣削技术来形成TGV结构。通过结合自下而上铣削技术形成的零锥度结构以及MHz+GHz突发模式带来的工艺良率提升，在BF33和D263玻璃中制备出了直径为200微米的孔阵列。
爱发科中国市场总监王禹分享《面向高密度集成板级封装的技术及工艺研究》，指出FOPLP产业仍处于早期培育阶段，面临三大共性挑战：一是生产良率偏低，目前整体良率普遍低于预期，严重影响成本竞争力；二是行业标准尚未统一，面板尺寸规格（如510×515mm、600×600mm等）与材料体系、工艺参数各成体系，导致生态协同困难；三是面向高密度集成的关键工艺能力不足。其中，工艺问题尤为突出。本报告聚焦大板均匀去胶与无损伤控制、高可靠表面处理、高均匀性溅射种子层等核心工艺。爱发科围绕 FOPLP 及玻璃基先进封装，梳理完整技术路线，聚焦基板处理、种子层 PVD 沉积、微孔刻蚀三大核心工艺难点展开攻关。在基板处理方面，依托成熟等离子改性活化、干法除污技术，解决 2 微米细线宽残胶、应力隐患等工艺痛点，推出 NA 系列一体化设备，可覆盖实验室、中试到量产全阶段，单平台集成多道工序，无需跨设备周转，大幅提升基板处理效率与良率。
在种子层沉积领域，针对 2030 年 RDL 迈入1微米级趋势，传统钛铜复合 PVD 工艺存在电阻率偏高、刻蚀污染、成本高等问题。爱发科创新采用铜合金薄膜一次性成膜工艺，简化制程、降低膜厚，孔底导通性能更优，粘附性可对标钛材；同时优化真空抑制技术，将有机材料放气量大幅降低。旗下 SMV 系列 PVD 设备性能成熟，下一代新机也在研发迭代中。在微孔成型环节，以干法刻蚀替代传统光刻，适配低介电、低损耗新材料体系。爱发科联动全球材料、设计、封测企业开展全栈工艺验证，依托全球九大研发中心布局，以工艺合伙人模式深耕本土市场。预判 FOPLP 将成先进封装主流，随着行业标准、设备工艺逐步成熟，将带动 AI、车载、服务器等领域实现产业高速增长。
熵圭科技CEO周波分享《先进封装场景对玻璃基板材料研发迭代的挑战与展望》。先进封装的应用需求正牵引着玻璃基板材料的迭代进化方向。玻璃基板凭借优异的电学性能和尺寸稳定性，已成为先进封装的关键技术路径。然而，其产业化仍面临三大挑战：本征脆性导致TGV成型易产生裂纹；金属与玻璃的热失配引发界面应力；表面平整度与金属粘附性的协同调控难度大，制约了精细线路的规模化制造。展望未来，玻璃基板的材料研发必须与TGV、载板、先进封装、芯片设计等下游环节协同推进。下游应用场景为材料迭代提供明确方向，而下游企业需充分理解上游材料的技术边界，从而优化芯片设计与封装方案，持续提升Token/Watt能效比，满足人工智能对算力快速增长的需求。在技术路径上，应着力开发高韧性玻璃组分、低损伤TGV工艺、界面工程及应力优化技术，并建立面向封装场景的加速老化测试模型。玻璃基板有望在2.5D/3D封装、光互连及射频模组中率先实现规模化应用，助力高密度、低功耗封装技术的发展。
TechSearch国际公司总裁兼创始人E. Jan VardamanZ在线分享了《用于先进封装的玻璃芯基板的调研报告》，探讨了先进封装技术趋势、基板要求以及玻璃核心基板的最新进展，并介绍了玻璃核心基板的替代方案；同时分析了玻璃核心基板的优势与面临的挑战。
写完了。日后没有回放，错过再等一年。
