三星计划2028年推出“移动HBM”

据韩媒报道，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。

芯闻快讯 2025年02月20日 0 点赞 0 评论 509 浏览

深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展

据深圳平湖实验室官微消息，为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：

芯闻快讯 2025年02月20日 0 点赞 0 评论 512 浏览

日月光拟斥资2亿美元设立面板级扇出型封装量产线

据台媒报道，日月光集团营运长吴田玉表示，集团磨剑十年投入面板级扇出型封装（FOPLP）决定迈向设立量产线的重要里程碑，决议斥资2亿美元在高雄设立量产线，并于今年第二季度和第三季度装机、今年底试产，如果顺利的话，将于明年开始送给客户认证。

芯闻快讯 2025年02月20日 0 点赞 0 评论 481 浏览

普照材料完成B轮融资，加速半导体用掩模基板项目建设

据消息，近期，湖南能源集团所属湖南普照信息材料有限公司（以下简称“普照材料”）完成7.4亿元B轮融资。

投/融资 2025年02月19日 0 点赞 0 评论 918 浏览

日月光马来西亚封测新厂启用

据台媒报道，2月18日，日月光投控旗下日月光半导体于马来西亚槟城举行第四厂及第五厂启用典礼，借以扩大在车用半导体及生成式人工智能（GenAI）快速成长的需求。

产业项目 2025年02月19日 0 点赞 0 评论 802 浏览

北方华创向子公司增资，参与设立二期基金

据消息，北方华创2月17日晚间发布公告称，公司已向全资子公司北方华创创新投资（北京）有限公司增资5.1亿元，参与设立的北京集成电路装备产业投资并购二期基金（以下简称二期基金），已完成相关登记备案手续。

芯闻快讯 2025年02月19日 0 点赞 0 评论 936 浏览

燕东微40.2亿元定增获受理，将投入12英寸产线项目

自上交所官网获悉，2月17日，IDM半导体厂商燕东微向其实控人北京电控定向增发募资40.2亿元的计划，获交易所受理。

芯闻快讯 2025年02月19日 0 点赞 0 评论 916 浏览

SK海力士扩产HBM，M15X工厂预计年底投产

据韩媒报道，称由于HBM需求旺盛，SK海力士将于3月向M15X晶圆厂派遣工程师，为工厂投产做准备。M15X工厂计划于今年第四季度正式投产，目前正全力推进各项准备工作。

芯闻快讯 2025年02月19日 0 点赞 0 评论 512 浏览

AMD计划导入三星4纳米制程技术

自从出售了晶圆制造业务及晶圆厂以后，AMD 在过去的时间里，基本都依靠台积电和格芯 （GlobalFoundries） 为其生产芯片。

芯闻快讯 2025年02月18日 0 点赞 0 评论 533 浏览

超84亿，半导体设备大厂出手！

近日，据外媒报道，美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research）将在印度卡纳塔克邦投资1000亿卢比（约合人民币84.12亿元）。

芯闻快讯 2025年02月18日 0 点赞 0 评论 461 浏览

华虹半导体：新12英寸产线有望为新兴产业提供增量

华虹半导体2月13日晚间发布第四季度业绩公告。

芯闻快讯 2025年02月18日 0 点赞 0 评论 1715 浏览

通富微电完成收购京隆科技26%股权

据消息，通富微电2月13日晚间发布公告称，公司已于近日完成了对京隆科技（苏州）有限公司26%股权的收购交割。

投/融资 2025年02月18日 0 点赞 0 评论 1177 浏览

北京海淀发布集成电路产业新措施，单个企业补贴最高1500万

据北京海淀官微消息，2月14日，《中关村科学城集成电路流片补贴申报指南》（简称《申报指南》）在2025海淀区经济社会高质量发展大会上正式发布，面向海淀区从事集成电路设计业务的企业，支持集成电路设计企业开展多项目晶圆（MPW）或工程产品首轮流片（全掩膜），单个企业补贴最高1500万。

芯闻快讯 2025年02月18日 0 点赞 0 评论 1951 浏览

青禾晶元先进半导体异质集成装备制造与研发项目正式开工

据青禾晶元官微消息，日前，青禾晶元集团在天津滨海高新区创新创业园迎来了新厂房的开工仪式。

产业项目 2025年02月18日 0 点赞 0 评论 851 浏览

英飞凌宣布在8英寸SiC技术路线获重大进展

自英飞凌官网获悉，2月13日，英飞凌公开宣布在8英寸SiC技术路线上取得重要进展，首批基于8英寸SiC晶圆的器件产品将于2025年第一季度交付客户。

芯闻快讯 2025年02月18日 0 点赞 0 评论 702 浏览

镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂

据镓仁半导体官微消息，日前，杭州镓仁半导体有限公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂，为下游客户提供更加丰富的产品选择，助力行业发展。

芯闻快讯 2025年02月14日 0 点赞 0 评论 571 浏览

• «
• »