镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸
据镓仁半导体官微消息,2024年7月,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上取得突破性进展,成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底,为目前国际上已报导的最大尺寸,达到国际领先水平。
芯闻快讯
2024年07月17日
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