果纳半导体海宁生产基地投产仪式举行
7月1日，上海果纳半导体海宁生产基地投产仪式隆重举行。海宁基地的投产将使果纳的生产能力大幅度提高，在拓展产能、满足订单快速提升需求的同时，也将为公司后续产品的研发和量产提供有力的平台支撑。
芯原股份：预计第二季度实现营业收入6.1亿元 环比增长91.87%
芯原股份公告，预计第二季度实现营业收入6.10亿元，较一季度环比增长91.87%。其中，2024年第二季度公司量产业务预计实现营业收入2.35亿元，环比增长126.18%；
三星电子工会宣布发起全国大罢工
有媒体报道称，韩国韩国科技大厂三星电子工会今天宣布发起全国大罢工，并表示在改善薪酬和休假福利等要求得到满足前，将会持续奋战。
台积电6.6亿新台币收购中国台湾力森诺科厂房
晶圆代工龙头台积电1日发布重讯，宣布与中国台湾力森诺科签订合约，以6.68亿元新台币收购位于新竹县宝山乡的厂房及附属设施；台积电表示，此次收购主要目的为扩充办公空间。
美光爱达荷与纽约晶圆厂预计分别于2027、2028年投产
美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在报告中提到，其位于爱达荷州博伊西的晶圆厂预计将于2027财年投入运营，而纽约州的克莱晶圆厂则预计将在2028财年或之后开始生产。
聚链成群，展现电子制造新优势----深圳国际电子元器件及物料采购展览会扬风起航！
2024 ES SHOW电子物料采购展将继续携手NEPCON ASIA、S-FACTORY EXPO、AWC深圳国际新能源及智能网联汽车博览会、C-TOUCH 深圳国际全触与显示展等五大电子及应用领域旗舰展会，展示总面积16万平方米，参展企业3500多家，同期专业观众超15万名
台积电明年资本支出冲新高 2纳米需求超预期
据消息，台积电（2330） 2025年资本支出又将冲高。业界传出，因持续加码2纳米等最先进制程相关研发加上2纳米后续需求超乎预期强劲，产能将导入南科，台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间，为历年次高，年增12.5%至14.3%。
SK海力士计划到2028年投资103万亿韩元 用于AI和芯片领域
韩国SK海力士母公司SK集团表示，到2028年，SK海力士将投资103万亿韩元（746亿美元），以加强其芯片业务，专注于人工智能。SK集团还表示，计划到2026年确保80万亿韩元的资金，用于投资人工智能和半导体领域，以及为股东回报提供资金，并对超过175家的子公司进行精简。
总投资30亿元，盘古半导体板级封测项目动工
据浦口经开区消息，6月30日，江苏盘古半导体科技股份有限公司多芯片高密度板级扇出型封装产业化项目奠基仪式举行，标志着该项目进入全面施工阶段
上海交通大学无锡光子芯片研究院与香港大学香港量子研究院签约
6月27日，上海交通大学无锡光子芯片研究院与香港大学香港量子研究院签约仪式举行，在先进光子学和量子学及相关领域搭建研究合作桥梁。
英特尔实现光学I/O芯粒的完全集成
据消息，日前，英特尔在2024年光纤通信大会（OFC）上，英特尔硅光集成解决方案（IPS）团队展示了业界领先的、完全集成的OCI（光学计算互连）芯粒，该芯粒与英特尔CPU封装在一起，运行真实数据。
诺基亚近170亿元收购光学半导体供应商英飞朗
通信技术大厂诺基亚（Nokia）与先进光学半导体供应商英飞朗（Infinera）共同宣布双方达成了一项最终协议。
斥资2亿美元，安世半导体计划在德生产下一代宽禁带半导体
自安世半导体（Nexperia）官网获悉，当地时间6月27日，安世半导体宣布计划投资2亿美元，用于在德国汉堡市开发以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的下一代宽禁带半导体（WBG），并在汉堡工厂（Hamburg site）建立生产基础设施。
国内首条！增芯科技12英寸晶圆制造产线项目投产
据消息，日前，增芯科技12英寸晶圆制造产线投产启动仪式在广州市增城区隆重举行。增芯科技厂长徐立，身处产线实地，为现场的领导嘉宾远程报告增芯项目投产准备情况。
消息称三星客户已包下V8-NAND 2025年产能
据悉，三星电子西安厂升级至第八代V-NAND制程进度正加快推进。三星原本积极催促客户采购第八代 V-NAND，但近期已释出消息，2025年产能几乎被客户包走，整体销售力道强劲，主要采购动能来自于数据中心，部分则来自于手机客户。
安世半导体将在德国汉堡投资2亿美元
6月27日，在德国汉堡晶圆厂成立100周年之际，安世半导体与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布：计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。
鸿海旗下讯芯强化SiP、光收发模组两大特殊封装
6月27日，鸿海集团旗下专注于系统级封装(SiP)模块的子公司讯芯科技(ShunSin Technology)举行股东会。
铠侠目标2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠
据外媒报道，近期，铠侠（Kioxia）公布了其3D NAND闪存技术路线图，目标在2027年实现1000层堆叠。
ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备
据报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。
总投资55亿元，全球首条3000mm超宽幅偏光片项目动工
据消息，6月26日，总投资55亿元的恒美光电（二期）全球首条3000mm超宽幅偏光片项目在苏州昆山动工建设，将助力全球超大尺寸屏幕实现“零的突破”。
