ASML拟推出Hyper-NA EUV光刻机，芯片密度限制再缩小
日前，ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brink在imec ITF World的演讲中表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。
南京长晶年产200亿颗新型元器件项目预计8月竣工
据消息，近日，江苏长晶年产200亿颗新型元器件项目迎来最新进展，预计8月底完成竣工验收，9月投产运营。本项目的建成能提升国产化功率器件竞争实力，降低对国外产品的依赖。
三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产
据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。
晶盛机电半导体材料抛光及减薄设备项目建成时间延后至明年6月
据消息，晶盛机电6月15日发布公告称，审议通过了《关于部分募集资金投资项目延期的议案》。同意将向特定对象发行股票募集资金投资项目“年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目”达到预定可使用状态日期由原定的2024年6月30日延期至2025年6月30日。
上海临港今年集成电路产业产值有望突破200亿元
据悉，临港新片区积极打造“6+2”前沿产业体系，其中，今年前5月临港新片区集成电路产业产值已达93.5亿元，全年将有望突破200亿元。
国际大厂纷纷投入HBM制造，挤压标准型DRAM产能
英特尔和AMD都预计于2024年推出搭载DDR5的新平台，带动新一波的换机潮与AI PC的发展。
台积电3纳米产能全包，传英伟达、苹果等四大客户考虑涨价
随着台积电3纳米供不应求，四大客户产能全包，预期台积电3纳米订单满至2026年。据报道，NVIDIA、苹果、AMD和高通现在考虑提高AI硬件价格。
长电科技申请电感封装结构专利
据国家知识产权局信息显示，江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构”，公开号CN202410209578.1，申请日期为2024年2月。
总投资约100亿元，奕斯伟半导体材料产业基地项目落户珠海金湾
据消息，6月13日，珠海市金湾区人民政府、华发集团与北京奕斯伟科技集团有限公司在珠海签订奕斯伟半导体材料产业基地项目投资协议，正式落户珠海金湾。
安牧泉高端大芯片先进封装基地正式启用
据消息，6月13日，2024长沙共建新一代半导体产业生态大会暨产业链专场主题活动在位于湖南湘江新区的安牧泉先进封装基地启幕，标志着该基地正式投入使用。
美国半导体设备商MKS宣布在马来西亚建超级中心工厂
美国半导体供应商万机仪器（MKS）日前宣布，计划在马来西亚槟城建“超级中心”工厂，以支持本区域和全球的晶圆制造设备生产，项目建设将分3个阶段，预计明年初动工。
英飞凌居林200mm碳化硅晶圆厂第一阶段建设完成
英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
业内人士：英伟达、AMD与日月光讨论面板级扇出先进封装技术
据消息，为解决最新GB200供应问题，除了台积电的CoWoS产能吃紧，供应链业者表示，持成本与效能优势下，日月光正持续驱动面板级扇出先进封装（FOPLP），英伟达、AMD也与其讨论相关业务，不过业者认为，至少要到2025年看到AI需求明显浮现，有望2024年可看到面板级扇出先进封装产品小量生产，2025年下半至2026年才会导入实施该技术，即便FOPLP正式量产，其取代CoWoS的机率不大。
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
