消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出

据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。

芯闻快讯 2024年10月31日 0 点赞 0 评论 391 浏览

总投资超200亿元，长飞先进武汉基地明年5月提前量产通线

据光谷金控官微消息，近日，长飞先进武汉基地传来新进展。相关负责人介绍，该项目今年11月起设备就能进驻厂房，明年年初开始调试，预计5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。

芯闻快讯 2024年10月31日 0 点赞 0 评论 366 浏览

总投资15.6亿元，德尔科技含氟半导体材料项目（一期）动工

据消息，日前，福建德尔科技股份有限公司含氟半导体材料项目（一期）在蛟洋新材料产业园区正式破土动工。

产业项目 2024年10月31日 0 点赞 0 评论 427 浏览

玻芯成玻璃基半导体特殊工艺生产线项目设备搬入

据消息，10月28日，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司（简称玻芯成）举行国内首条玻璃基半导体特色工艺生产线核心设备搬入仪式，顺利搬入涪陵高新区（综保区）电子信息标准化厂房，预计11月安装调试设备并实现单台设备投产，全产线预计明年上半年投产。

芯闻快讯 2024年10月31日 0 点赞 0 评论 380 浏览

美方发布新规限制对华投资，明年初生效

自美国财政部官网获悉，10月28日，美国财政部发布了一项《最终规则》，确定了《出境令》中确定的受法规约束的国家安全技术和产品的子集包括“半导体和微电子技术、量子信息技术、人工智能技术”三个领域，并将从明年1月2日开始实施。

芯闻快讯 2024年10月30日 0 点赞 0 评论 296 浏览

武汉经开综保区泛半导体产业园启动建设

据武汉经开区官方消息，近日，武汉经开区泛半导体产业园项目正有序推进，有望在2026年上半年完工。

芯闻快讯 2024年10月30日 0 点赞 0 评论 305 浏览

台积高雄厂进展良好，2nm 2025年量产

近日，有消息称台积电高雄厂首座 2nm 厂（P1）即将完工，预计将于11月26日邀请多方举行进机典礼，12月1日起展开装机。

芯闻快讯 2024年10月30日 0 点赞 0 评论 471 浏览

日月光旗下矽品或将扩大CoWoS产能

10月28日，日月光投控发布公告称，旗下矽品精密已投资新台币4.19亿元（约合人民币9319万元），取得中科彰化二林园区土地使用权。

芯闻快讯 2024年10月30日 0 点赞 0 评论 386 浏览

英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆

据消息，10月29日，英飞凌宣布在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展。

芯闻快讯 2024年10月30日 0 点赞 0 评论 378 浏览

力瑞信存储半导体智能制造基地项目竣工投产

据消息，10月28日，维扬经济开发区力瑞信（扬州）存储半导体智能制造基地项目实现竣工投产。

产业项目 2024年10月30日 0 点赞 0 评论 378 浏览

总投资30亿元！盘古半导体多芯片高密度板级扇出先进封装项目喜封金顶

近日（10月25日），位于浦口区桥林街道江苏盘古半导体科技股份有限公司多芯片高密度板级扇出先进封装项目喜封金顶，标志着华天科技在FOPLP向产业化迈出坚实的一步。

产业项目 2024年10月29日 0 点赞 0 评论 608 浏览

国内一存储芯片测试总部基地正式开业

中山晶存是晶存科技的存储芯片测试总部基地，目前初步建成运营，主要测试DRAM、eMMC、UFS等芯片产品，广泛应用于手机、平板、OTT盒子、车载、人工智能和物联网等领域。

芯闻快讯 2024年10月29日 0 点赞 0 评论 391 浏览

吉利旗下晶能完成5亿元B轮融资

据消息，近日，晶能微电子宣布完成第四轮融资，由秀洲翎航基金投资。公司即将开展股份制改造，切实推动各项业务高质量发展。

投/融资 2024年10月29日 0 点赞 0 评论 438 浏览

德州仪器日本会津工厂开始生产GaN芯片，自有产能将提升四倍

自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。

芯闻快讯 2024年10月29日 0 点赞 0 评论 364 浏览

普创先进半导体产业园项目竣工投产

据消息，10月26日，总投资10亿元的普创先进半导体产业园项目已全面竣工投产。

产业项目 2024年10月29日 0 点赞 0 评论 329 浏览

国内首次，镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破

据镓仁半导体官微消息，今年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。

芯闻快讯 2024年10月29日 0 点赞 0 评论 443 浏览

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