镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
据镓仁半导体官微消息,日前,杭州镓仁半导体有限公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂,为下游客户提供更加丰富的产品选择,助力行业发展。
芯闻快讯
2025年02月14日
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