中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
近期,中国科学院微电子所高频高压中心GaN研究团队在刘新宇研究员带领下,在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。
芯闻快讯
2024年10月10日