斥资2亿美元,安世半导体计划在德生产下一代宽禁带半导体
自安世半导体(Nexperia)官网获悉,当地时间6月27日,安世半导体宣布计划投资2亿美元,用于在德国汉堡市开发以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的下一代宽禁带半导体(WBG),并在汉堡工厂(Hamburg site)建立生产基础设施。
投/融资
2024年07月01日