三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道,三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部,是HBM芯片的核心组件之一。
芯闻快讯
2024年07月17日