碳化硅企业瀚薪科技完成超5亿元B轮融资
瀚薪是国内较早进入碳化硅设计行业的公司，也是国内少数能大规模量产并交货的车规级碳化硅MOS管、二极管、模块的本土公司
总投资200亿元，武汉长飞先进半导体基地项目迎来新进展
据中建一局官微消息，近日，国内最大的SIC功率半导体制造基地——武汉长飞先进半导体基地项目成功完成首榀桁架吊装，标志着项目钢结构施工全面展开，助力武汉打造世界级化合物半导体产业高地。
灿瑞科技登陆科创板，市值74亿
灿瑞科技创立于2005年9月，围绕智能传感器芯片和电源管理芯片两大板块打造了磁传感器芯片、光传感器芯片、屏幕偏压驱动芯片、闪光背光驱动芯片、LED照明驱动芯片、功率驱动芯片六大系列，共计550余款产品。
集成电路设计领域首个国家技术创新中心获批
南京宣布将建设国家集成电路设计自动化技术创新中心（简称 EDA 国创中心）。EDA 国创中心由东南大学与江北新区联合打造，并落地新区
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定
该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅 MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台
沪硅产业132亿扩产300mm半导体硅片 携手大基金二期共筑国产大硅片新篇章
6月11日晚间，沪硅产业（688126.SH）发布公告称，公司拟投资建设集成电路用300mm硅片产能升级项目（三期），预计项目总投资约132亿元。本次产能升级旨在积极响应国家半导体产业发展战略，加速推进公司长远发展战略规划，抢抓半导体行业发展机遇，持续扩大公司集成电路用300mm硅片的生产规模，提升公司全球硅片市场占有率与竞争优势。
联电48.58亿元收购厦门联芯获投审会通过
据联电财报揭露，厦门联芯2021年税后亏损23.68亿元，亏损年减61.51%，2022年一季度税后淨利6.44亿元，较去年第四季亏损0.42亿元及同期亏损15.89亿元大幅转盈。联电表示，厦门联芯目前月产能2.75万片，今年将扩产至3.2万片，以28纳米以下制程为主。
中微广州公司签约落户广州增城
中微公司多年来专注半导体设备领域，产品覆盖集成电路、MEMS、LED等不同的下游半导体应用，市场资源整合能力强，多项设备市场销售份额位居全球前列
传SK海力士将独家供应英伟达12层HBM3E
据台媒报道，SK 海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E。
兆易创新：拟以15亿元对长鑫科技增资
财联社3月28日电，兆易创新公告，自公司2020年首次对“长鑫科技”投资以来，双方充分发挥各自专业优势，在存储器业务领域持续深化合作。
英特尔入股立讯精密子公司
近日，全球芯片巨头英特尔入股国内A股厂商立讯精密下属子公司东莞立讯技术有限公司（下称“东莞立讯技术”）。
应用材料推出新布线技术，助推2nm及以下制程节点
据消息，当地时间7月8日，应用材料公司宣布推出全新布线技术，旨在通过使铜布线微缩到2nm及以下的逻辑节点，来提高计算机系统的每瓦性能。
南通艾佩科半导体材料项目正式开工
11月21日，南通艾佩科半导体材料有限公司半导体前驱体材料及高纯电子特气生产项目开工仪式在洋口化学工业园区成功举办
海纳半导体硅单晶生产基地项目（一期）单晶厂房主体封顶
海纳半导体硅单晶生产基地项目（一期）单晶厂房钢结构屋面封顶，，预计今年8月投产
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品
全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证
