称三星与长江存储合作，新一代NAND将采用中国企业专利
据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。
新思科技获欧委会第一阶段批准收购Ansys
据外媒，欧盟委员会1月10日宣布，有条件批准新思科技350亿美元收购工业软件公司Ansys的交易。
闻泰科技超40亿出售产品集成业务，专注半导体领域发展
5月17日，闻泰科技发布公告称，公司拟以现金方式向立讯精密及立讯通讯转让下属的昆明闻讯、黄石智通、昆明智通、深圳闻泰、香港闻泰（含印尼闻泰）的100%股权以及下属公司无锡闻泰、无锡闻讯、印度闻泰的业务资产包，交易价格为43.89亿元。
辽宁恩微芯片封装测试项目开工
据“黑山发布”公众号消息，8月28日，辽宁省锦州市黑山县举行电子芯片科技产业园（恩微芯片封装测试）项目开工仪式。
连橙时代半导体芯片、模组研发生产基地及企业总部项目签约
据消息，7月5日，宁乡高新区在长沙举行连橙时代半导体芯片、模组研发生产基地及企业总部项目签约仪式。
美国要求台积电停供大陆7纳米AI芯片
据路透社10日报道，美国商务部致函台积电，要求从11日开始停止向中国大陆客户供应7纳米及更先进工艺的AI芯片
佰维存储：向特定对象发行A股申请获上交所审核通过
佰维存储2月11日发布公告称，公司已收到上海证券交易所出具的《关于深圳佰维存储科技股份有限公司向特定对象发行股票的交易所审核意见》，具体意见为公司向特定对象发行股票申请符合发行条件、上市条件和信息披露要求，将在收到公司申请文件后提交中国证监会注册。
铠侠与闪迪合作研发出332层NAND闪存
自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。
世界先进：重点投资新加坡12英寸厂
据消息，2月25日，世界先进董事长暨策略长方略在法说会上提到，美方相关政策与措施终究会影响到通膨与经济，不过目前库存恢复健康，车用虽还在复苏但已持续改善，在不考虑关税等因素影响下，预期2025年可温和增长。
亚光科技子公司成都亚光签署1.23亿元备产协议
7月1日晚间，亚光科技发布公告称，公司子公司成都亚光电子股份有限公司(简称“成都亚光”)于近日收到与特殊机构客户签订的《产品预估备产协议书》，总金额1.234亿元，合同标的为科研生产所需器材。
总投资10.8亿元，德龙激光半导体及新能源高端装备项目在无锡江阴开工
5月6日，德龙激光半导体及新能源高端装备项目在江阴高新区举行开工仪式。
Trendforce：预计2025年台积电CoWoS产能翻倍
Trendforce最新报告显示，AI应用造成客制化芯片及封装面积的需求日益提升，同步推升2025年CoWoS需求。观察明年CoWoS市场重要发展态势：一、2025年英伟达对台积电CoWoS需求占比将提升至近60%，并驱动台积电CoWoS月产能于年底接近翻倍，达7.5万至8万片；二、英伟达Blackwell新平台2025年上半逐步放量后，将带动CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60%；三、CSP积极投入ASIC AI芯片建置，AWS等在2025年对CoWoS需求量亦将明显上升。
昂科技术亮相SEMICON China 2025：半导体测试设备实现新突破
作为半导体烧录及测试设备的领军企业，深圳市昂科技术有限公司（以下简称“昂科技术”）携创新产品、关键技术及解决方案亮相本次展会。
传三星2nm SF2工艺初始良率达30%
据韩媒报道，三星电子近日正在为旗下自研处理器Exynos 2600投入大量资源，以确保其按时量产，且已在试产中获得初步成功，其2nm工艺（SF2）的良率达到了高于预期的30%。
台积电首家日本晶圆厂年底前量产 明年AI芯片或仍供不应求
台积电日本子公司JASM总裁堀田佑一表示，子公司台积电在日本熊本县的首家晶圆厂将于今年底前开始量产。据台积电位于日本的研发中心3D IC RD Center Japan指出，因产能追不上需求，明年AI芯片仍将供不应求。
北京集成电路产教融合基地项目预计明年9月投用
据消息，近日，北京集成电路产教融合基地项目已全面进入地上钢结构施工新阶段，预计于2025年9月投入使用。
天津金海通半导体项目封顶
据消息，日前，天津金海通半导体设备股份有限公司（以下简称“金海通”）“半导体测试设备智能制造及创新研发中心一期项目”主体建筑结构封顶。
马来西亚协会主席：建议与中国建立联合研发中心
据媒体报道，11月18日，马来西亚半导体行业协会主席邝瑞强在第二十一届中国国际半导体博览会开幕式上表示，为了深化中国、马来西亚以及东南亚之间的半导体合作，马来西亚和中国可以建立联合研发中心，专注于AI芯片、低功能设计、5G以及互联网等新兴技术，推动半导体创新的发展。
我国科学家在“连续变量”集成光量子芯片领域实现新突破
据新华网报道，我国量子科技研究迎来突破性进展。《自然》杂志2月20日发布一项重要研究成果，我国科研团队成功实现全球首例基于集成光量子芯片的“连续变量”量子纠缠簇态。
