2025慕尼黑上海电子展揭示技术密码：机器人行业蓬勃发展，半导体“芯脏”如何给予支撑？
随着宇树人形机器人在今年春晚的一舞，给机器人领域的发展再添一把火。在过去十年间，中国工业机器人安装量的全球占比已经从约五分之一提升至超过全球总需求的一半。中国本土机器人制造商也已显著扩大了国内市场份额：本地供应商在中国工业机器人年安装量中的占比从2020年的30%提升至2023年的47%。
意大利计划向半导体行业投资100亿欧元 扩大芯片生产
据消息，意大利工业部长阿道夫·乌尔索（Adolfo Urso）称，意大利政府计划全年向半导体行业投资约100亿欧元。
清溢光电拟募资12亿元投建高精度、高端半导体掩膜版基地
据消息，日前，清溢光电发布公告称，公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过12亿元（含本数），募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高精度掩膜版生产基地建设项目一期、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期。
中国要求美日荷澄清是否存在芯片出口限制协议
当地时间4月3日至4日，世界贸易组织货物贸易理事会举行会议。中国在此次会议上，对“美国、日本和荷兰之间关于芯片出口限制的协议”提出关切
总投资15亿元，青岛市集成电路产业园两项目签约
据消息，4月24日，合肥贝斯兰湿法设备总部研发生产基地项目正式签约。4月26日，科新微电子芯片设计总部项目正式签约。
沪电股份：AI芯片配套扩产项目将于明年下半年试产
沪电股份日前披露最新投资者关系活动记录表。沪电股份表示，其人工智能芯片配套高端印制电路板（PCB）扩产项目已于2025年6月下旬开工建设。
福建晶旭半导体项目二期已完成主体厂房建设
据消息，目前，位于上杭工业园区金铜产业园的福建晶旭半导体科技有限公司二期项目已完成主体厂房建设，正在进行内外墙的装修，预计年后进入机电暖通、安装工程及精装修工程。
消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
晶盛机电半导体材料抛光及减薄设备项目建成时间延后至明年6月
据消息，晶盛机电6月15日发布公告称，审议通过了《关于部分募集资金投资项目延期的议案》。同意将向特定对象发行股票募集资金投资项目“年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目”达到预定可使用状态日期由原定的2024年6月30日延期至2025年6月30日。
通则康威拟A股IPO 已进行上市辅导备案
近日，证监会披露了关于广州通则康威科技股份有限公司（以下简称“通则康威”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告，其上市辅导机构为中信建投。
15.6亿元！又一半导体材料项目破土动工
据消息，10月27日，福建德尔科技股份有限公司含氟半导体材料项目（一期）在蛟洋新材料产业园区正式破土动工。
富乐德：拟收购关联方杭州之芯半导体公司100%股权
富乐德6月7日晚间公告，为拓展半导体设备及零部件维修领域业务，公司与杭州大和江东新材料科技有限公司签订附条件生效的《股权转让协议》，收购杭州之芯半导体有限公司100%股权，交易价格6800万元。
力积电日本晶圆厂或提前一年投产
力积电与SBI控股在日本宫城县将合建新厂，日前SBI控股会长北尾吉孝透露，有意将新厂生产时间提前1年。
投资至多20亿美元，安森美将在捷克建立先进SiC生产基地
据安森美（onsemi）官网消息，为满足电气化、人工智能所带来的对先进功率半导体的需求，安森美宣布计划在捷克共和国建立一个最先进的垂直集成碳化硅（SiC）制造工厂。
英特尔和新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
通过扩大合作伙伴和加快提供IP的速度，该合作将支持英特尔代工服务生态的发展
三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平
随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。
至讯创新完成A轮融资，官宣19nm NAND闪存芯片
据至讯创新官微消息，近日，至讯创新科技（无锡）有限公司（以下简称“至讯创新”）宣布成功完成亿元级A轮融资。本轮融资由多家知名投资方共同参与，旨在进一步推动公司在AI存储芯片领域的技术创新和市场扩张。
东风首批自主碳化硅功率模块下线，实现10分钟充电80%
近日，东风首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验
成都华微超高速数据转换器芯片取得重大突破
大半导体产业网消息，成都华微12月9日发布晚间公告称，近日，公司研发的HWD08B64GA1型8位64G超高速AD转换器成功发布
