江苏晋誉达新厂房项目奠基
据晋誉达半导体官微消息，3月20日，江苏晋誉达半导体股份有限公司新厂房项目奠基仪式隆重举行。此次奠基仪式标志着晋誉达在半导体高端设备的研发和生产上又跨上了一个新台阶，翻开了新的篇章。
奕成科技实现板级高密FOMCM量产
据消息，近日，成都奕成科技股份有限公司（以下简称“奕成科技”）成功实现板级高密FOMCM平台批量量产，成为中国大陆目前唯一具备板级高密FOMCM产品量产能力的公司，标志着奕成科技在FOPLP先进封装领域的又一重大突破。
三星电子推出12nm级32Gb DDR5 DRAM
三星电子表示，基于最新推出的12纳米级32Gb内存，可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求
国内首款，中国电科网通超高频射频识别芯片实现批量交付
据悉，该芯片在基带、射频、存储器等方面取得大量原始技术创新成果，在灵敏度、可靠性等指标上相较于同类型产品实现较大提升
广州艾佛光通项目主体封顶
据艾佛科技官微消息，近日，被列入广东省、广州市重点工程的艾佛光通总部基地项目主体结构全面封顶。相关负责人表示，全面封顶后正式进入装饰及机电安装阶段，预计明年6月项目整体完工。
微软和美国最大工会达成历史性合作，将展开AI培训
面对人工智能（AI）技术热潮对人才市场的冲击，微软和代表1250万劳动者的美国最大工会联合会——美国劳工联合会-产业工会联合会（AFL-CIO）宣布达成史无前例的新合作关系
陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用
3月30日，陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用。该平台具备光子芯片制程中的光刻、刻蚀、蒸镀等多项核心工艺，将为光子产业项目提供产品研发、中试、检测等全流程技术服务，为光子产业各类创新主体打通从产品研发到市场化批量供货的完整链条
安世半导体将在德国汉堡投资2亿美元
6月27日，在德国汉堡晶圆厂成立100周年之际，安世半导体与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布：计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。
总投资超28亿元，内蒙古鑫华半导体多晶硅项目预计月底竣工
该项目总投资28.3亿元，产值可达24亿元左右，能够年产高纯电子级多晶硅10000吨、二氯二氢硅500吨、三氯氢硅3000吨、四氯化硅3000吨
新思科技、台积电和Ansys共促多裸晶芯片系统发展
新思科技近日宣布，携手台积公司和Ansys持续加强多裸晶芯片系统设计与制造方面的合作，助力加速异构芯片集成以实现下一阶段的系统可扩展性和功能
78亿美元12英寸晶圆厂即将开建，新加坡有望成下一个半导体重镇
受国际形势与不可控因素等影响，全球半导体供应链正在发生转移，具备劳动力和发展条件优势的东南亚地区成为全球大厂的首选之地。其中，马来西亚、印度、新加坡等地已被多数厂商瞄准，并迅速展开布局，占领一席地。
强化高性能封装战略布局，长电科技高端制造项目新厂房封顶
该项目于2022年7月在江阴开工，整体建设按计划快速推进，聚焦全球领先的2.5D/3D高密度晶圆级封装等高性能封装技术，面向全球客户对高性能、高算力芯片快速增长的市场需求
投资1000亿日元！三菱电机新建8吋SiC晶圆厂
3月14日，三菱电机宣布增产SiC功率半导体，计划在截至2026年3月的五年时间内，将此前宣布的原投资翻一番，达到约2600亿日元（约133.36亿元人民币）。同时该由于增产投资计划，三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平
华虹公司将于8月7日在上交所科创板上市
华虹公司目前有三座8英寸晶圆厂和一座12英寸晶圆厂。根据IC Insights发布的2021年度全球晶圆代工企业的营业收入排名数据，华虹半导体位居第六位，也是中国大陆最大的专注特色工艺的晶圆代工企业。截至2022年末，上述生产基地的产能合计达到32.4万片/月(约当8英寸)，总产能位居中国大陆第二位。
芯原股份拟定增募资18亿元，投向Chiplet研发、新一代IP研发及产业化
12月22日晚间，芯原股份发布公告，披露了定增预案，拟向特定对象发行A股股票募集资金总金额不超过18.1亿元（含本数），募资净额将用于AIGC及智慧出行领域Chiplet解决方案平台研发项目和面向AIGC、图形处理等场景的新一代IP研发及产业化项目
华源智信完成1.5亿元C轮融资，致力于提供高性能电源管理芯片
5月28日，华源智信半导体（深圳）有限公司（以下简称：华源智信）宣布于近日签署完成了1.5亿元的C轮融资，新增投资方包括碧鸿投资、安芯投资、华泰资管、亿宸资本等，老股东华登国际 、基石资本持续跟投。
天岳先进成功交付P型SiC衬底
据天岳先进官微消息，近日，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
