三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
英伟达CEO黄仁勋：预计今年Blackwell架构芯片将带来大量收入
据消息，英伟达CEO黄仁勋表示，预计今年Blackwell架构芯片将带来大量收入；Blackwell架构芯片将于二季度发货，并将于三季度增产；预计预计本季度对Hopper架构芯片的需求将不断增加。
亚洲芯片和AI相关股票上涨 受英伟达强劲营收预期推动
据消息，亚洲芯片和人工智能(AI)相关股票上涨，英伟达再次给出乐观的营收预期，表明AI算力支出仍然强劲。
工信部与港投公司就RISC-V产业协同发展进行交流
自工信部官网获悉， 近日，香港投资管理有限公司（简称“港投公司”，HKIC）行政总裁陈家齐拜访工业和信息化部电子信息司，双方围绕RISC-V（第五代精简指令集）应用落地、技术创新和标准制定相关内容展开深入交流。
联电新加坡Fab 12i P3新厂首批设备到厂
据联电（UMC）官网消息，5月21日，联电在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批设备到厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。
AMD计划在台湾设立研发中心
据报道，经证实，5月20日，超威半导体（AMD）计划在中国台湾地区投资50亿元新台币（约合人民币11.22亿元）设立研发中心。
士兰微：签署8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目投资合作协议
据士兰微公告，拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.5亿元并签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》，产能规模6万片/月，其中第一期项目总投资70亿元；第二期投资50亿元。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。
消息称英伟达计划将GB200提早导入面板级扇出型封装
据供应链透露，为缓解CoWoS先进封装产能吃紧，英伟达正规划将其GB200提早导入面板级扇出型封装，从原订2026年提前到2025年。
盛美上海推出带框晶圆清洗设备
今日，盛美上海推出用于先进封装的带框晶圆清洗设备。该设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆。据悉，带框晶圆清洗设备的创新溶剂回收系统具有环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。
康盈半导体高速固态存储智能制造基地项目签约
据消息，5月16日，深圳康盈半导体与维扬经济开发区签订了高速固态存储智能制造基地项目进园协议。
