日月光半导体开设美国第二厂区,扩大测试服务 近日,日月光投控旗下日月光半导体(ISE Labs)宣布于加州圣荷西开设第二个美国厂区。弗里蒙特厂区与圣荷西厂区运营总面积超过15万平方英尺(约1.39万平方米),将进一步扩大日月光的供应服务能力。 芯闻快讯 2024年07月18日 0 点赞 0 评论 559 浏览
沪硅产业产能升级!55亿元硅材料技术公司成立 据企查查APP显示,近日,太原晋科硅材料技术有限公司成立,注册资本55亿元,经营范围包括半导体分立器件制造、电子专用材料制造、其他电子器件制造、集成电路制造等。 芯闻快讯 2024年07月18日 0 点赞 0 评论 772 浏览
紫光展锐5G芯片通过墨西哥运营商Telcel测试 据紫光展锐官微消息,近日,紫光展锐5G系列移动通信芯片成功通过墨西哥领先运营商Telcel的技术测试,可在Telcel的5G、4G、3G网络上稳定流畅运行。 芯闻快讯 2024年07月18日 0 点赞 0 评论 555 浏览
SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术 据消息,SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合,目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂,用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱,并直接键合焊盘,这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠,并增加带宽 芯闻快讯 2024年07月17日 0 点赞 0 评论 676 浏览
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片 据报道,三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部,是HBM芯片的核心组件之一。 芯闻快讯 2024年07月17日 0 点赞 0 评论 591 浏览
镓仁半导体晶圆级(010)氧化镓单晶衬底直径突破3英寸 据镓仁半导体官微消息,2024年7月,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体生长与衬底加工技术上取得突破性进展,成功制备出3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底,为目前国际上已报导的最大尺寸,达到国际领先水平。 芯闻快讯 2024年07月17日 0 点赞 0 评论 549 浏览
无锡迪思高端掩模正式通线,首套90nm产品顺利交付 近日,无锡迪思微电子有限公司(以下简称“无锡迪思”)高端掩模项目完成关键设备安装调试,产线顺利贯通,并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付,标志着无锡迪思技术能力实现新跨越,向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司,又迈出坚实的一步。 芯闻快讯 2024年07月16日 0 点赞 0 评论 635 浏览
苹果M5芯片或导入台积电SoIC先进封装制程 据台媒报道,此前传出台积电2nm制程将在本周试产,苹果除了将拿下2025年首波产能外,下世代3D先进封装平台SoIC(系统整合芯片)也规划于M5芯片导入并展开量产,2026年预计SoIC产能将出现数倍以上成长。 芯闻快讯 2024年07月16日 0 点赞 0 评论 661 浏览