全芯微DFN QFN封装项目签约广东罗定
据消息，6月17日，罗定市人民政府与深圳卓锐思创科技有限公司举行全芯微DFN QFN封装项目签约仪式。
总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工
据消息，6月18日上午，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧开工。
三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机
日前，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。
通富微电“多芯片封装方法”专利获授权
天眼查显示，通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“多芯片封装方法”的专利，授权公告号为CN112490186B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2020年11月25日。
鸿海再夺英伟达大单 独家供货GB200交换器
鸿海（2317）抢攻AI商机再传捷报，继取得大份额英伟达（NVIDIA）GB200 AI服务器代工订单之后，独家拿下GB200关键元件、有「提升算力法宝」之誉的NVLink交换器（switch）大单，订单量是服务器机柜量上看七倍，不仅是全新订单，毛利率也远高于服务器组装，将成为助攻鸿海毛利一大利器，获利进补。
SK海力士大幅扩产第5代1b DRAM 以应对HBM及DDR5需求增加
据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。
ASML拟推出Hyper-NA EUV光刻机，芯片密度限制再缩小
日前，ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brink在imec ITF World的演讲中表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。
南京长晶年产200亿颗新型元器件项目预计8月竣工
据消息，近日，江苏长晶年产200亿颗新型元器件项目迎来最新进展，预计8月底完成竣工验收，9月投产运营。本项目的建成能提升国产化功率器件竞争实力，降低对国外产品的依赖。
三星公布新工艺节点，2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产
据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。
