英飞凌居林200mm碳化硅晶圆厂第一阶段建设完成
英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
业内人士：英伟达、AMD与日月光讨论面板级扇出先进封装技术
据消息，为解决最新GB200供应问题，除了台积电的CoWoS产能吃紧，供应链业者表示，持成本与效能优势下，日月光正持续驱动面板级扇出先进封装（FOPLP），英伟达、AMD也与其讨论相关业务，不过业者认为，至少要到2025年看到AI需求明显浮现，有望2024年可看到面板级扇出先进封装产品小量生产，2025年下半至2026年才会导入实施该技术，即便FOPLP正式量产，其取代CoWoS的机率不大。
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
德国蔡司中国台湾首座创新中心即将启用
据消息，6月12日，蔡司宣布其位于新竹科学园区，斥资超过3亿元新台币打造的首座台湾创新中心将于6月18日落成。
ASML荷兰扩建计划获表决通过
据报道，当地时间周二，荷兰埃因霍温市议会投票通过了ASML在该市北部进行重大扩张的计划。该委员会表示，此次扩张计划可容纳多达2万名新员工。
SK子公司将斥约37亿元生产芯片用气体
据报道，日前，SK Materials Airplus宣布未来十年内将投资7000亿韩元（约合人民币37亿元）建设生产气态氮(GN2)和洁净干空气(CDA)的工厂。
中国科学家在半导体领域获突破
近日，中国科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
