SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
5月22日,SK 海力士宣布,公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb(太比特,Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
芯闻快讯
2025年05月23日
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