镓仁半导体实现直拉法2英寸N型氧化镓单晶生长
据镓仁半导体官微消息,日前,杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体的直拉法生长与电学性能调控方面实现技术突破,成功生长出2英寸N型氧化镓单晶并制备出2英寸晶圆级N型(010)晶面氧化镓单晶衬底
芯闻快讯
2024年12月02日