据外媒，三星电子今日宣布，已采用12纳米（nm）级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM，在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，并计划于今年年底开始量产。
官方介绍称，通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，无需硅通孔（TSV）工艺也能够生产128GB内存模组，相较于使用16Gb内存封装的128GB内存模组，功耗可降低约10%。
三星电子表示，基于最新推出的12纳米级32Gb内存，可以研发出实现1TB内存模组的解决方案，有助于满足人工智能和大数据时代对于大容量DRAM内存日益增长的需求。未来还计划继续扩充大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和IT行业持续增长的需求。
