这条小道上睁眼就是黄金，闭眼就是美梦…… 在AI算力爆炸式增长的驱动下，先进封装已从“芯片为中心”转向“系统级互连与基板平台为中心”。传统CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）路径正面临ABF有机载板成本高、翘曲控制难、大尺寸良率瓶颈等挑战，而CoWoP（Chip on Wafer on PCB）以“减法革命”直接挑战这一范式，CoPoP（Chip on Panel on PCB）则进一步升级为面板级规模经济与直接PCB集成的融合形态。两者从不同维度重构封装价值链，标志着先进封装基板技术进入狂飙突进的新阶段。
传统CoWoS的瓶颈与演进背景
传统CoWoS路径为：裸晶 + HBM → 硅中介层（CoW）→ ABF有机载板（WoS）→ BGA连接系统PCB。ABF载板曾是高性能封装的“黄金标准”，但在AI HPC芯片功耗超1000W、HBM堆叠层数持续增加的今天，其局限日益凸显：大尺寸翘曲难以控制、供应链紧张（尤其是大面板ABF）、成本高企、信号路径较长。
与此同时，玻璃基板 + TGV（Through Glass Via）技术崛起，为面板级封装（CoPoS）提供了翘曲控制优异、尺寸稳定性强、低损耗的新选择。行业逐步形成三条并行演进路径：成熟的CoWoS、实验推进中的CoPoS，以及更激进的CoWoP与CoPoP。
CoWoP：减法革命，直接拥抱高阶PCB平台
CoWoP（Chip-on-Wafer-on-PCB平台）的核心创新在于“减法”——硅中介层（CoW）不再通过ABF载板 + BGA转接，而是直接采用mSAP/HDI工艺贴合到高密度系统PCB上。PCB同时承担“封装基板”与“系统互连”双重功能。核心优势如下：
• 理论成本降低40-50%（移除昂贵ABF载板及部分BGA环节）；
• 信号路径显著缩短，SI/PI性能提升；
• 可能实现lidless直接散热，热管理优势明显；
• 利用PCB面板级成熟产能，加速扩产。
技术挑战与验证进展
互连精度鸿沟：当前高阶PCB L/S约20/35μm，目标需<10/10μm，均匀性与对位精度极高；大面积翘曲与CTE失配：大型PCB翘曲远超刚性载板，高功率热循环可靠度风险突出；材料升级需求：超低损耗（M8/M9级别，Df≈0.001）、低CTE树脂、细玻璃布；验证周期长：从GR100测试到GR150量产需积累1-2年可靠度数据。
NVIDIA正在悄然推进CoWoP验证，2026年H2为GR100测试关键窗口，GR150量产存在不确定性，更可能在中低阶SKU或未来平台逐步渗透。摩根士丹利报告显示，Rubin平台单机架PCB价值暴增233%（从3.51万→11.67万美元），中国大陆PCB厂2025-2026年相关资本开支已超400亿元。
这一路径直接利好高阶PCB厂商：鹏鼎控股、胜宏科技、沪电股份、深南点库、景旺电子、兴森快捷、AJLMW等已在布局mSAP/SLP产能与CoWoP研发平台。PCB从“被动元件”升级为AI算力系统的“新核心”。
CoPoP：面板级升级，玻璃基板与规模经济双轮驱动
CoPoP（Chip-on-Panel-on-PCB）是CoPoS（Chip on Panel on Substrate）的延伸与激进升级。它采用面板级加工（ 玻璃中介层 + 高密度玻璃芯叠层板）制作，让大尺寸多芯片组件（多颗GPU Die + 10-12+堆HBM），通过玻璃中介层直接键合到高阶系统PCB，形成更简洁的“二级结构”。核心优势如下：
• 面板利用率远高于晶圆（可提升3-5倍以上），叠加去除基板层，成本下降空间更大；
• 超大封装能力：适合2028年代 AI/HPC 产品，需要12+ HBM4E堆叠的“怪兽级”AI芯片；
• 与玻璃基板/TGV高度协同：玻璃核心平整度、尺寸稳定性、低CTE（3-5 ppm/°C可调）优势显著，翘曲控制远优于有机方案；
• 信号路径进一步优化，支持224Gbps+ SerDes，并可灵活设计厚铜电源平面与背面供电（BSPDN）。
技术挑战
超大尺寸翘曲控制难度更高（面板组件 + 大型PCB双重挑战）；PCB仍需在大面积上实现接近ABF的细线能力（<10/10μm）；大模块组装工艺窗口窄，高功率热循环与机械应力风险增加；目前仍处于概念验证或早期测试阶段，缺乏明确主导推动者与成熟数据。
CoPoP更可能是CoPoS的下一阶段演进，代表了玻璃基板的终极技术路线。尤其在中国先进封装厂商激进研发，跑出了佛智芯、玻芯成、奕成科技，目前已经批量试生产供货AI大芯片公司。玻璃基板供应链（Absolics、Corning、英特尔、三星、台积电等）与面板级OSAT/设备厂将共同受益。
CoWoP与CoPoP对比：共存而非零和竞争
两者并非简单替代关系，而是互补演进：
三条路径（CoWoS成熟、CoPoS实验推进、CoWoP/CoPoP颠覆/升级）将长期共存，推动封装从晶圆级向面板级、从有基板向无/少基板方向演进。
基板技术的狂飙突进：材料、工艺与供应链重构
先进封装基板正经历从被动到主动、从有机到玻璃/混合的跨越：
• 高阶PCB：mSAP/HDI工艺突破细线极限，超多层（计算板26层+、交换板32层、中板44层，Rubin Ultra最高78层），超低损耗材料升级。
• 玻璃核心基板 + TGV：翘曲控制、尺寸稳定性、垂直互连与光学路由潜力，成为CoPoS/CoPoP关键使能技术。面板尺寸从310×310mm向510×510mm乃至更大演进。
• 方形硅晶圆：上海超硅等厂商2026年已实现300mm方形硅晶样品供应，提升大尺寸计算芯片封装面积利用率与平整度。
• 中国供应链崛起：鹏鼎、胜宏、沪电等PCB龙头加速mSAP布局；玻芯成、佛智芯等玻璃电路板厂商切入超大尺寸GCP；设备与材料国产化进程加快。
AI硬件价值链正在重构——从“晶片计算”竞争转向“互连与系统平台”竞争。高阶PCB与玻璃基板正从边缘走向舞台中央。
产业展望与战略启示
2026年下半年CoWoP GR100测试结果、2027-2028年CoPoS实验线验证数据，以及mSAP L/S良率与大面板翘曲实测数据，将成为关键风向标。CoPoP作为面板级与直接PCB集成的融合形态，有望在2028年前后展现更强量产确定性。
对中国产业链而言，这既是挑战也是历史性机遇：持续跟踪NVIDIA、TSMC、Intel等龙头路径，在CoWoP与CoPoP上战略对冲；加大mSAP、玻璃基板/TGV、低损耗材料研发投入；参与或主办行业论坛（如2026年9月广州CoWoP/CoPoP技术论坛、2027年无锡5月12-14日iTGV国际玻璃通孔技术论坛），构建生态话语权。长期看，硅光子、光互连等技术将进一步拓展边界，但玻璃基板与高阶PCB的“平台化”趋势已不可逆转。
从CoWoP的激进“减法”到CoPoP的面板级规模跃迁，先进封装基板技术正以惊人速度重塑AI算力硬件的底层逻辑。PCB与玻璃基板不再是配角，而是决定性能、成本与可扩展性的新核心。谁能在这场狂飙突进中率先突破精度、翘曲与供应链瓶颈，谁就将在下一代AI基础设施竞争中占据制高点。未来已来，基板为王。
2026年9月3日至6日，第二十一届中国国际中小企业博览会（以下简称“中博会”）将在广州举行。作为中博会体系中最具技术深度与产业价值的专业展之一，中国集成电路专精特新展览会（IC- SRDI 2026）将以“专精驱动、链动未来”为主题，构建链接国家战略、产业链协同与全球资源配置的高能级平台，全面呈现中国集成电路企业的创新跃迁路径。
举办时间：2026年9月3日至6日
举办地点：广州中国进出口商品交易会展馆D区（广州市海珠区阅江中路168号）
主办单位：中华人民共和国工业和信息化部
承办单位：广东省工业和信息化厅、广州市人民政府
集成电路专业展执行单位：广东省集成电路行业协会、北京恒仁致信咨询有限公司（未来半导体）
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