PCB嵌埋封装是实现更紧凑、更高效功率系统的关键。2026年9月6日，IC- SRDI 2026先进封装专题聚焦PCB嵌埋封装、集成封装技术、无键合线封装，助推功率半导体向先进封装迭代，助力嵌埋SiC功率模块从产品验证到量产元年的稳妥过度。（有意思的是，这个和玻璃基板同一进程，我的天呐。）
功率嵌埋封装(Embedded Packaging)，是功率半导体模组第三代封装技术，是将功率半导体（可达100kW/L以上）嵌入PCB封装技术是将功率芯片（如SiC MOSFET、GaN HEMT）直接嵌入多层印刷电路板（PCB）基板内部，并通过铜互连、微盲孔等结构实现更紧凑的一体化连接，从而减少甚至在部分方案中替代传统键合线互连。宽禁带（WBG）功率器件在电动汽车（EV）、数据中心电源、工业驱动及可再生能源等领域实现高效率、高功率密度集成的重要使能技术。部分公开样机和方案也表明，嵌埋结构可显著降低开关损耗、改善动态性能，并为高频高效应用打开更大空间。
与传统线键合（Wire Bonding）或DBC陶瓷基板模块相比，功率浅埋技术可显著降低寄生电感、提升开关速度、改善热管理，并支持更高的系统集成度（如嵌入驱动电路、无源元件）。
•极低寄生电感：平面互连（镀铜、烧结铜）将功率环路电感（L_PL）降至约2 nH以下，远低于传统线键合的5–15 nH，支持SiC/GaN高速开关（高dV/dt），显著降低开关损耗与EMI。
•优异热管理潜力：厚铜层（400 µm+）、热通孔阵列、双面冷却结构，结合可选嵌入AlN陶瓷片，可实现低至0.17 K/W的热阻，支持更高功率密度。
• 高集成度与小型化：支持3D嵌入栅极驱动、退耦电容、分流电阻等，实现“逆变器砖（Inverter Brick）”级集成，系统体积和重量大幅降低。
•可靠性提升：消除线键失效模式（lift-off、heel crack），机械抗振能力更强，产品寿命显著延长。
•制造规模与成本优势：利用成熟PCB工艺（激光钻孔、层压、镀铜），适合面板级生产，未来规模化后具有明显成本竞争力。
PCB嵌入功率半导体典型横截面与工艺流程
芯片嵌入PCB的典型工艺步骤示意
PCB嵌入式SiC模块技术已度过早期概念验证阶段
2023–2026年间，随着Schweizer p²PACK、Schaeffler高压模块等产业化突破，PCB嵌入式SiC模块技术已度过早期概念验证阶段，目前正处于工程化开发和产业化突破的关键期。全球范围内的研发活动日趋活跃，并展现出明确的应用导向。
PCB嵌入技术此前，英飞凌和Schweizer Electronic合作，通过在PCB中嵌入一个48V的MOSFET器件，将性能提高了35%。这项技术成果的背后，是Schweizer提供的p²Pack解决方案。Schweizer在汽车48V应用方面已开展量产准备工作，同时也在着眼于下一代产品，研发用于400-1200V电压的嵌入式“宽带隙”半导体高压p²Pack。若进一步将功率开关与电容器一起嵌入，还能提高功率密度和可靠性，集成分流器还可将电流测量功能集成到PCB板内部。
英飞凌的方案就是把开关与电容器一起嵌入，其是将已在高端电动汽车项目验证的1200V CoolSiC™芯片直接嵌入PCB中，该芯片嵌入板由五个与主直流链路电容相连的连接器，就是五个大电容负责稳定整体供电。并配置了三个邻近MOSFET半桥的900VCeraLink™电容作为局部直流链路电容器，以有效抑制杂散电感。每个开关单元集成了一枚嵌入式S-Cell和一片20mm²的CoolSiC碳化硅芯片。通过将栅极驱动器紧邻半桥布局并结合单板设计，实现低电感栅极回路、高速开关特性及信号振荡最小化。除了电流的传输路径短了，此方案还采用了引线框架设计，顶部触点使用铜填充微孔与厚铜层连接，代替了传统的键合线，极大地降低了寄生电感，可实现低电感互连。
Schweizer是欧洲嵌埋PCB技术龙头，凭借p2Pack实现功率模块、PCB 与散热系统一体化集成，以厚铜布线极致优化功率回路，充分释放SiC/GaN高频性能。沪电通过控股子公司胜伟策（持股99%），拥有Schweizer Electronic开发的p²Pack嵌入式功率芯片封装技术——将裸芯片直接嵌入PCB内层，大幅降低寄生电感、缩短散热路径、提高功率密度。从整个结构来看，p²Pack嵌入技术减少了无源器件、连接器等组件的使用。采用关键部件贴身布局、用特殊材料防过热、测量点直连避免干扰，既能扛住高压大电流，又能让工程师像用听诊器一样清晰监测每个细节。
采埃孚嵌入式逆变器（CIPB）采用芯片内嵌PCB技术，支持自定义PCB形状与接口，可有效降低寄生电感与电阻，优化电气性能。该产品适配各类整机外形及安装固定需求，可灵活匹配车企不同车型的电驱动复杂应用场景。其机身尺寸小巧，仅相当于两台iPhone16并排大小，却可输出不低于600Arms的大电流，空间利用率极高。
CIPB通过优化电容至功率交直流的功率回路，改善杂散参数，提升功率半导体芯片均流性，减少芯片开关与导通损耗，系统动静态性能优于传统功率模块。相较于传统方案，其芯片内嵌技术突破了布局限制，让逆变器结构更紧凑、设计更灵活。对比采埃孚一代产品，搭载Gen2p芯片的1200V SiC逆变器功率密度实现指数级提升，突破120kW/L。同时设备杂散电感进一步降低，整体性能大幅提升60%。
进入2026，随着更多车企与Tier1厂商对高压、高效、高集成电驱动系统的需求升级，芯片内嵌PCB技术已成为车载功率器件的核心发展方向。舍弗勒推出800V平台芯片内嵌高压功率模块，杂散电感小于3nH，CLTC逆变器效率超99%，开关损耗降幅超30%，预计2026年于天津基地投产。采埃孚CIPB芯片内嵌逆变砖已完成工业化筹备，其800V模块单相峰值电流有效值可达850A，已配套高度集成的800V电驱动系统。博世联合科研机构与保时捷研发Dauerpower逆变器，搭载48颗SiC芯片，杂散电感低至1.1nH、峰值功率720kW、峰值效率98.7%，已应用于保时捷电动跑车。
麦格纳推出嵌埋式电驱动逆变器新拓扑，持续推进该技术车载规模化落地。纬湃科技完成400V/800V嵌埋模块样品开发，可实现1nH以下超低杂散电感。浩思动力推出GaN嵌入式模块，适配增程发电系统，散热性能提升20%以上、体积缩减超50%，杂散电感低至1nH。汇川联合动力嵌入式晶圆技术，相较传统器件降低80%驱动杂感，回路杂感低至1nH，器件体积缩减82%，整体结构尺寸大幅优化。联合电子嵌入式PCB逆变砖CLTC效率达99.5%，开关损耗降低30%，功率覆盖100–350kW，峰值功率密度可达200kW/L。辰致集团PCB嵌入式封装技术实现突破，杂散电感降至2nH、降幅75%，有效降低开关损耗并提升逆变器工作效率。广汽夸克电驱2.0搭载嵌入式功率模块，电控最高效率达99.9%，1000V平台电机功率密度可达17.29kW/kg，设备体积缩减80%。
芯片与器件企业2027年后导入量产
芯片与器件企业正在与下游PCB厂联合出发，在研发方向上稳扎稳打，持续开发嵌入式核心封装工艺，并预计在2027年后导入量产。据斯达半导体透露，行业内预期嵌入式碳化硅模块会在2027-2030年间投入批量装车应用，逐步取代部分传统模块的市场份额。上海诚帜也认为，预计至2027年，嵌入式碳化硅模块在新能源汽车800V平台、储能、AI电源等高端市场将会优先突破批产应用。芯联集成进一步提出，从长期来看，嵌入式碳化硅模块在小功率应用方面也具有较大的应用潜力。
斯达半导是国内最早布局嵌埋SiC模块企业，第二代产品已进入DV验证。 2026 年将重点开发嵌入式SiC模块、车用驱动GaN模块、三电平SiC模块以及面向OBC和AI电源的新产品。其中嵌入式SiC 模块已开发两代产品，多个项目正配合Tier 1 和整车厂进行DV验证，目标 2026 年量产。
上海诚帜电力电子C-CellAMB嵌埋封装技术，CZ1260型1200VSiC模块采用6并联设计，已经完成HTRB\H3TRB\TST\PC等基本可靠性验证，A样机PC最多完成12万次循环，寿命超过框架式模块2倍。上海诚帜已经在和多家PCB上市公司接触，建立亲密的合作关系，并且把AMB基板绝缘的嵌入式工艺技术导入到合作的PCB厂。根据规划，上海诚帜预计于2026年下半年在工程机械和商用车领域实车搭载推广3000套以上，并在AI数字电源领域实现批量交付。
芯联集成将碳化硅嵌入式方案定义为将功率芯片通过基板内嵌、无键合互联、三维集成等方式实现高集成度的先进模块技术。目前，公司嵌入式碳化硅方案正在送样验证中，重点突破芯片与PCB的集成工艺、热管理优化及可靠性提升等关键技术。根据公司披露，嵌入式碳化硅模块预计在2027年前后进入量产阶段。届时，该技术将应用于新能源汽车、储能系统等领域，助力电驱系统向高效、轻量化方向发展。
冀同半导体2024年开始深入研究嵌入式模块，他们已联合深度合作的下游客户，共同推进嵌入式模块的研发，同时还与PCB厂家建立合作，通过协同开发迭代优化设计。翼同半导体计划在2026年完成嵌入式碳化硅模块的工艺验证，2026年底发布验证完整的产品样品，并于2027年实现批量交货。
中车半导体于2025年发布嵌入式SiC功率模块，采用六并联结构设计，将杂散电感优化至2nH，核心电学性能实现大幅突破。产品通过叠层结构迭代优化，未来可进一步将杂散电感降至1nH以下，性能显著优于传统HPD模块与塑封功率模块。派恩杰半导体自研PCB嵌埋功率模块，彻底摒弃传统键合线结构，单位通流能力提升40%，驱动回路寄生电感低至1.5nH、功率回路低至3nH，仅为传统方案的十分之一，有效抑制高频工况下电压过冲，降低开关损耗。
芯华睿半导体布局多品类嵌入式芯片封装方案，产品覆盖1500V高压SiC至100V低压GaN器件，适配车载、具身智能等多元场景。企业深耕嵌入式技术赛道，提前对接主流主机厂开展联合研发，预计2025至2026年实现技术量产落地。基本半导体推出AMB嵌入与铜块嵌入两类车规级SiC模块，四并联架构可实现350-400A通流能力，目前产品已进入整车可靠性摸底测试阶段，稳步推进车载场景落地应用。
悉智科技已实现车规级嵌埋工艺规模化量产，自研SiC主驱模块已配套智己、奇瑞捷途等车企。同时企业迭代下一代嵌埋模块技术，目标实现回路电感较国际竞品降低50%、芯片均流性能提升45%。土兰微依托IDM全产业链优势，自研PCB嵌埋专用镀铜SiC芯片及模组，深度配套头部车企供应链，其嵌入式功率方案已在800V高压车载平台实现规模化落地应用。
昕感科技搭建一站式功率模块测试平台，整合性能检测、老化测试、可靠性验证及大数据智能分析能力，全方位保障PCB嵌埋式功率模块的车规级品质与稳定性。北一半导体深耕PCB嵌入式封装领域，掌握寄生电感抑制、精密封装工艺与芯片均流设计三大核心技术，为高性能车载嵌入式功率模块的研发量产提供全套技术支撑。
矽迪半导体持续迭代嵌入式SiC芯片与模块技术，聚焦性能升级、损耗降低与成本优化，深化与光伏储能领域头部客户合作，推动嵌入式封装技术在大型能源项目中规模化普及。林国科创新嵌入式3D封装技术，通过芯片与PCB铜层三维直接互连结构取消键合线，相较传统方案，大幅提升功率模块单位通流能力，适配高集成、高效率功率器件发展需求。
尽管前景广阔，该技术仍面临若干挑战。热管理瓶颈有机PCB导热率低（FR4约0.3–0.5 W/m·K）。应对措施包括厚铜层、密集热通孔、嵌入AlN陶瓷、对称双面冷却，以及与先进TIM或液冷系统结合。在高压绝缘与机械应力上有紧凑结构中爬电距离与CTE失配问题，可通过对称层压、陶瓷嵌入件、优化烧结工艺缓解。工艺良率与测试方面，大功率芯片嵌入时的热应力、层压翘曲、以及嵌入后检测/维修难度增加，通过面板级工艺与增材制造正逐步改善。标准化与供应链行业规范仍在完善中，需要上下游协同推动。
2026年将是高压SiC嵌入式模块量产验证的关键年份。未来技术方向包括更高系统级集成（驱动+功率+无源全嵌入）、与玻璃基板/先进陶瓷的混合封装、以及增材制造规模化应用。随着SiC/GaN器件成本持续下降，该技术有望成为功率电子系统小型化与高效化的核心支撑。
PCB嵌入式SiC功率模块不是“把SiC芯片埋进PCB”的单点封装创新，而是一条把功率芯片、铜互连、绝缘介质、导热材料、积层工艺和可靠性验证重新组合的系统级封装路线。
