传台积电将于下周试产2nm制程芯片
据多方媒体报道，台积电将于下周开始试产2nm节点制程的芯片，较市场普遍预期的四季度提前了一个季度。
应用材料推出新布线技术，助推2nm及以下制程节点
据消息，当地时间7月8日，应用材料公司宣布推出全新布线技术，旨在通过使铜布线微缩到2nm及以下的逻辑节点，来提高计算机系统的每瓦性能。
阿斯麦前CEO：美对华限制基于意识形态 将尽可能就防止严厉出口限制进行游说
近日，荷兰半导体设备制造商阿斯麦公司前任首席执行官（CEO）彼得·温宁克接受荷兰BNR电台采访。
晶合集成与上海精测签署20台量测国产设备采购意向
7月9日，晶合集成与上海精测半导体技术有限公司（以下简称上海精测）举行EPROFILE 300FD量测机台采购意向签约仪式。
消息称台积电2nm制程下周将试产 较市场预期大幅提前
台积电竹科宝山的首座2nm厂于第二季度开始装机，在设备商与供应链厂商全力配合下，下周将开始试产，市场预期为第四季度。为了应对AI订单需求，高雄2nm厂也紧锣密鼓施工中。
三星首款3nm可穿戴芯片发布，采用面板级封装
日前，三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000，将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法，提高性能的同时有助于减小体积，为电池预留更大空间，从而延长续航，也为智能手表的设计增添了灵活性。
天岳先进拟定增3亿元投建8英寸车规级SiC衬底项目
据消息，天岳先进7月8日晚间发布公告称，拟以简易程序向特定对象发行股票，募集资金总额不超过3亿元（含本数），扣除相关发行费用后的募集资金净额将用于投资“8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目”。
SiC产能将增三倍！罗姆子公司SiCrystal宣布扩产
功率半导体大厂罗姆子公司SiCrystal GmbH宣布，将在德国纽伦堡东北部现有工厂对面扩建厂房。
合晶：12英寸硅晶圆郑州厂预计2025年底完成
7月3日，半导体硅晶圆大厂合晶宣布，在两岸扩建的12英寸硅晶圆厂，可望在2025年底完成、2026年量产，迎接下波半导体荣景。
天岳先进正加快扩建8英寸碳化硅衬底产能
日前，上海临港管委会网站发布的环评公示显示，上海天岳利用“现有厂区内增加生产设备开展8英寸碳化硅晶片生产线建设，并对现有6英寸碳化硅晶片部分工艺进行改造”。上海天岳为天岳先进全资子公司。
总投资30亿元，华清半导体产业园一期预计9月投产
据消息，目前，位于晋江龙湖的华清半导体产业园正在快马加鞭地进行项目建设。预计今年9月底，华清半导体产业园一期将投入使用。
汉源微与天工大联合实验室正式揭牌
据消息，日前，由广州汉源微电子封装材料有限公司和天津工业大学主办的“功率半导体模块封装关键材料与工艺联合实验室”揭牌仪式在天津工业大学成功举办。
禾晶元获超3亿元融资，用于建设先进键合设备及键合衬底产线
据消息，近日，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司宣布完成最新一轮融资，融资金额超3亿元。投资方包括深创投、远致星火、芯朋微，老股东正为资本、芯动能、天创资本继续加持。
复旦大学魏大程团队研发半导体性光刻胶 实现特大规模集成度有机芯片制造
复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破，集成度达到特大规模集成度水平。
美国得州寻求日本、中国台湾、韩国芯片投资，将补贴14亿美元
美国得克萨斯州州长Greg Abbott表示，随着美国在技术上与中国大陆竞争，得州希望与包括日本、韩国和中国台湾在内的美国合作伙伴在半导体领域展开合作。
消息称联发科、高通5G手机旗舰芯片将于Q4推出，台积电3nm制程加持
据台媒报道，联发科、高通新一波5G手机旗舰芯片将于第四季推出，两大厂新芯片都以台积电3nm制程生产，近期进入投片阶段。
