全球首款北斗优先全频点高精度芯片正式发布
据湖北工信官微消息，6月26日，全球首款北斗优先全频点高精度芯片正式发布，标志着我国北斗芯片技术迈入2.0时代。
日月光K18B厂房新建工程，近10亿元扩充先进封装产能
据台媒报道，9月25日，日月光投控宣布，子公司日月光半导体经其董事会决议通过将K18B厂房新建工程发包予关系人福华，交易金额为新台币40.08亿元（约合人民币9.35亿元），以因应未来先进封装产能扩充之需求。
内蒙古显鸿集成电路产业园项目正式投产
据内蒙古和林格尔新区官微消息，近日，内蒙古显鸿科技股份有限公司在新建成的显鸿集成电路产业园举行乔迁仪式，标志着显鸿集成电路产业园项目正式投产。
马克龙正推动法国成为全球最先进半导体制造重镇
据媒体报道，法国总统马克龙在法国巴黎VivaTech会议的一场小组讨论会上表示，法国必须藉由生产全球最先进的2至10nm半导体，在全球科技供应链取得一席之地。
富乐德半导体部件精密清洗项目竣工投运
据青岛自贸片区官微消息，5月13日，青岛富乐德半导体部件精密清洗项目竣工投运活动在青岛自贸片区举行。
七部门：设立“国家创业投资引导基金”
近日，科技部、中国人民银行、金融监管总局、中国证监会、国家发展改革委、财政部、国务院国资委印发《加快构建科技金融体制 有力支撑高水平科技自立自强的若干政策举措》，设立“国家创业投资引导基金”。发挥国家创业投资引导基金支持科技创新的重要作用，将促进科技型企业成长作为重要方向，培育发展战略性新兴产业特别是未来产业，推动重大科技成果向现实生产力转化，加快实现高水平科技自立自强，培育发展新质生产力。拓宽创
中国电科成功研发国内首个金刚石微波激射器
据新华网报道，自中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮空位色心微波激射器。
浙江12英寸CMOS二期项目新进展
据浙大杭州国际科创中心官微消息，日前，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）项目一期（六阶段）工程、浙江省集成电路创新平台二期A12号楼首段大体积筏板混凝土浇筑任务顺利完成。
康盈半导体存储芯片总部及产业化基地项目开工
据衢州智造新城官微消息，9月29日，浙江康盈半导体科技有限公司（下简称“康盈半导体”）存储芯片总部及产业化基地项目在智造新城东港片区正式开工，将建设集先进存储芯片设计、研发、封测于一体的综合性生产基地。
2025年芯片设计全行业销售额预计相比去年增长29.4%，中国IC设计公司比去年增加275家
第31届中国集成电路设计行业年会（ICCAD-Expo 2025）今天在成都西博城拉开帷幕
总投资约70亿，麦斯克电子大尺寸半导体硅片项目签约郑州高新
10月23日，郑州高新区管委会与麦斯克电子正式签署战略合作协议，拟共同推动大尺寸硅片项目在郑州高新区建设落地，总投资规模约70亿元。
Broadcom第二季度营收150.04亿美元，同比增长20%
6月5日，Broadcom公布了截至2025年5月4日的2025财年第二季度财务业绩，为2025财年第三季度提供了指导，并宣布了季度股息。
投资超百亿，先导化合物半导体项目冲刺年底投产
据长江日报消息，近日，先导化合物半导体研发生产基地项目迎来新进展。相关负责人表示，目前正进行洁净厂房设计和设备采购等工作，按计划，6月底厂房招标、7月初开始装修。
ASML携蔡司研发新一代Hyper NA EUV设备
据外媒报道，近日，ASML技术高级副总裁Jos Benschop在受访时表示，该企业已与光学组件独家合作伙伴蔡司一同启动了单次曝光实现5nm分辨率的Hyper NA光刻机开发，能满足2035年乃至更后阶段的产业需求。
三星电子完成1c纳米DRAM内存工艺开发，准备向量产转移
据韩媒报道，日前，三星电子对其第六代10nm级DRAM内存工艺1c纳米授予生产准备批准 (PRA)。这标志着三星完成1c nm内存开发，准备向量产转移。
长鑫存储推出首个国产DDR5产品
日前，长鑫存储正式发布其最新DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。
Rapidus社长小池淳义：计划7月中下旬向客户提供首批芯片原型
据日媒报道，日本先进半导体制造商Rapidus社长小池淳义日前在记者发布会上表示，该企业计划7月中下旬向客户提供首批试制芯片原型。
