SK海力士新一代CXL芯片或将由台积电代工
据韩媒报道，近期，SK海力士与ASICLAND签订311亿韩元（约合人民币1.59亿元）规模的CXL（Compute Express Link）高速互联存储器控制器设计合约，期限至2026年6月30日。
日月光马来西亚封测新厂启用
据台媒报道，2月18日，日月光投控旗下日月光半导体于马来西亚槟城举行第四厂及第五厂启用典礼，借以扩大在车用半导体及生成式人工智能（GenAI）快速成长的需求。
传莱迪思半导体考虑收购英特尔旗下Altera
据外媒报道，有消息称莱迪思半导体正在考虑全盘收购英特尔旗下 FPGA 子公司 Altera，且正与顾问合作并寻求一家私募股权投资公司支持。
众芯半导体光电与功率器件IDM项目竣工通线
据消息，11月28日，宁波众芯半导体有限公司光电与功率器件IDM项目举行竣工暨通线庆典。
三星探索利用康宁玻璃开发封装中介层
据外媒报道，近日，三星电子收到材料供应商Chemtronics和设备制造商Philoptics关于开发玻璃中介板的合作提案。
消息称长鑫存储成功量产其DDR5内存芯片
近日，有韩媒报道称，长鑫存储（CXMT）已量产DDR5内存芯片，已有多家DRAM模组厂商已经开始销售基于其DDR5芯片的DRAM模组。
奥松半导体FAB主厂房封顶
据奥松半导体官微消息，12月28日，奥松半导体8英寸MEMS特色芯片IDM产业基地项目FAB主厂房成功封顶。
ST宣布50亿欧元在意新建8英寸SiC工厂
据消息，自意法半导体（STMicroelectronics）官方获悉，当地时间5月31日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。新碳化硅工厂的建设是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。
总投资10亿，力瑞信半导体项目竣工投产
10月28日上午，维扬经济开发区今年招引的力瑞信（扬州）存储半导体智能制造基地项目实现竣工投产，为扬州半导体产业发展增添了新的发展动力。
世界先进为新加坡工厂寻求百亿银行贷款
据台媒报道，晶圆代工厂世界先进公司计划在新加坡建设一座12英寸晶圆厂。为此，世界先进已向金融业争取筹组一笔高达600亿元新台币(约合人民币133.68亿元)的大型联合贷款，预计最快可在明年第一季度完成签约。
富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能达到国际先进水平
据杭州光学精密机械研究所官微消息，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。
台积电南科工厂3nm部分产线有望转为2nm
台湾经济日报消息，台积电2nm客户需求强劲，为应对长期需求，2nm相关扩充产能计划将导入南科工厂，以制程升级挪出空间。
盛美上海拟募资45亿元用于测试平台建设和设备迭代研发
大半导体产业网消息，盛美上海11月12日发布公告称，公司已收到上海证券交易所出具的《关于受理盛美半导体设备（上海）股份有限公司科创板上市公司发行证券申请的通知》。
紫光展锐进行工商变更，加快IPO进程
据报道，紫光展锐在2022年至2023年连续两年实现年收入超过100亿元人民币（约13.8亿美元），目前正准备加快首次公开募股（IPO）的步伐。2024年9月，这家无晶圆厂芯片制造商完成了最新一轮股权融资，融资金额达到40亿元人民币。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
国家大基金二期等入股EDA企业行芯科技
大半导体产业网消息，自天眼查获悉，近日，杭州行芯科技有限公司发生工商变更，注册资本由约896.2万人民币增至约966.5万人民币
总投资300亿元，三安意法半导体项目计划明年通线
据媒体报道，近日，三安光电董事、副总经理林志东在受访时表示，三安光电正在加快发展第三代化合物半导体产业，今年三安光电砷化镓射频平均稼动率创新高，高峰时达到95%，公司已完成月产能2万片的扩建。
Rapidus开始安装日本首台ASML EUV光刻机
自Rapidus官网获悉，12月18日，Rapidus宣布其购入的首台ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻机已在*IIM-1工厂交付并开始安装。这也是日本第一台用于大规模生产尖端半导体的EUV（极紫外）光刻系统。
