台积电亚利桑那三厂 拚两年完工
日媒体报导，台积电（2330）预定今年动土兴建亚利桑那州第三座晶圆厂，建厂步调将明显加快，兴建进度可能缩短为两年，和台湾建厂速度相当
创意电子推出全球首款HBM4 IP，采用台积电N3P制程
据报道，中国台湾地区芯片服务企业GUC创意电子日前宣布，其成功利用台积电最先进N3P制程和CoWoS-R先进封装完成全球首款HBM4 IP的流片。
骄成超声总部基地及先进超声装备产业化项目开工
据上海经信委官微消息，近日，上海骄成超声波技术股份有限公司（简称“骄成超声”）总部基地及先进超声装备产业化项目举行开工典礼，建设项目包括骄成超声总部、研发中心、销售中心、产业化中心等。
韩国加快建设龙仁半导体中心，预计2026年动工
据韩媒报道，近日，韩国龙仁半导体国家产业园区建设方案已获批通过，开工时间从2030年6月提前至2026年12月。
诚邀参与2026年度封装与测试系列盛会 | CSPT·iTGV·FOPLP·iCPO 联动开启
四会联动开启！展示创新成果、链接关键客户、共建高质量产业生态！
苏州市RISC-V开源芯片产业创新中心启动
据苏州新闻消息，5月10日，RISC-V开源芯片产业创新中心启动仪式暨RISC-V产业沙龙活动在市集成电路创新中心举行。
国芯科技与ASK达成战略合作
近日，苏州国芯科技股份有限公司（以下简称 “国芯科技”，股票代码：688262）与宁波艾思科汽车音响通讯有限公司（以下简称 “ASK”）正式签署战略合作意向书，双方将整合技术资源，共同开发面向中国汽车市场的高性能车载音频系统解决方案，致力于推动汽车电子技术的自主创新与供应链安全。
三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线
据韩媒报道，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。
英特尔临时联席CEO：新任CEO需拥有代工经验
英特尔临时联席CEO David Zinsner表示，新任CEO将拥有制造专业知识以及产品方面的经验。
美国得州寻求日本、中国台湾、韩国芯片投资，将补贴14亿美元
美国得克萨斯州州长Greg Abbott表示，随着美国在技术上与中国大陆竞争，得州希望与包括日本、韩国和中国台湾在内的美国合作伙伴在半导体领域展开合作。
规模100亿元！湖南落户首支战新产业发展基金
据长沙高新区官微消息，11月13日，由湖南高新创投集团发起设立的湖南战新产业发展基金合伙企业（有限合伙）（以下简称：省战新基金）在中国证券投资基金业协会已完成备案，并落户湘江基金小镇，基金规模达100亿元。
英飞凌获欧盟援助，将在德累斯顿建新半导体厂
据新华社报道，欧盟委员会2月20日批准一项总额9.2亿欧元（约合人民币69.76亿元）的国家援助计划，支持德国英飞凌科技公司在德国德累斯顿建设一家芯片制造工厂，并称这项援助计划将加强欧洲在半导体技术领域的供应安全、韧性和技术自主性。
德国政府计划向芯片行业提供约20亿欧元新补贴
据外媒报道，当地时间11月28日，德国经济部发言人Annika Einhorn在声明中表示，德国政府计划向芯片公司提供新补贴，用于开发“大大超过当前技术水平的现代化产能”。
越南政府远期规划逾建设20座半导体工厂
据报道，近期，越南政府总理范明签署了第1018/QD-TTg号决定，同时颁发了越南半导体产业发展战略和愿景，规划至2050年目标建设3座制造厂，20座封测厂。
台积电熊本厂年底投产，日本九州已获超320亿美元投资
台积电在日本九州岛的第一家工厂将于今年年底开始量产和出货，这是该国芯片行业复兴项目的一个重要里程碑，该项目已吸引约5万亿日元（327亿美元，约合人民币2332亿元）的相关投资。
三星HBM3E签30亿美元大单
据消息，三星已经与AMD签订价值30亿美元的新协议，将供应HBM3E 12H DRAM，预计会用在Instinct MI350系列上。据称，三星还同意购买AMD的GPU以换取HBM产品的交易，但是具体的产品和数量暂时还不清楚。
智能电动化浪潮下，汽车半导体如何赋能行业未来发展？ ——慕尼黑上海电子展揭秘汽车电子新动能
过去几年，汽车芯片行业一直处于去库存阶段，但在汽车智能化和电动化的趋势下，对一些类型的汽车芯片仍有较强需求，如为智驾提供算力的芯片、汽车图像传感器，以及高性能微控制器（MCU）等。
