三菱电机宣布新建封测厂
据三菱电机官微消息，近日，三菱电机集团宣布，将投资约100亿日元（约合人民币4.8亿元），在日本福冈县的功率器件制作所建设一座新的功率半导体模块封装与测试工厂。
深圳平湖实验室国际首发研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
据深圳平湖实验室官微消息，近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）
HBM4标准正式发布
据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。
【CSPT2025 邀请函】中国半导体封测展
中国半导体封装测试展暨中国半导体封装测试技术与市场大会，是国内唯一涵盖整个半导体封测行业的最具影响力的专业展会
英飞凌在台扩大投资27亿新台币
6月17日，中国台湾地区经济部门宣布，全球车用半导体龙头德国英飞凌（Infineon）将在台扩大研发投资，成立「先进汽车暨无线通讯半导体研发中心」，总经费12亿元新台币（单位下同），估可促成英飞凌在台投资27亿元，带动台湾电动车上下游产值达600亿元。
三星器兴半导体研发综合体开始设备安装
据外媒报道，当地时间周一，三星电子2022年开始在京畿道器兴建设的下一代半导体研发综合体“NRD-K”，举行了设备安装仪式，第一批设备正式开始安装，标志着这一研发综合体已从大楼的建设转向了研发设备的安装。
国产化逆导IGBT功率模块通过科技查新，打破国外垄断
据中微创芯科技官微消息，近日，中微创芯“基于国产化逆导 IGBT（RC-IGBT）的智能功率模块（IPM）设计开发及产业化”项目通过中国科学院兰州查新咨询中心科技查新
科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目
日前，科友半导体与俄罗斯N公司在哈尔滨签署战略合作协议，开展“八英寸碳化硅完美籽晶”的项目合作。
东山精密宣布59.35亿元收购索尔思光电
6月15日，东山精密发布公告称，董事会已审议通过全资子公司超毅集团（香港）有限公司（以下简称香港超毅）以现金方式收购Source Photonics Holdings (Cayman) Limited（以下简称索尔思光电）100%股份，同时认购其可转债。
丰田计划向日本Rapidus追加投资
日前，丰田汽车表示，计划向日本半导体制造商Rapidus追加投资，为其在2027年前量产下一代半导体的计划提供资金支持。
中兴微电子亮相ICDIA 2025，共话RISC-V架构推动AI算力普惠化进程
7月11-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展”（ICDIA创芯展）在苏州盛大开幕。
总投资55亿元，全球首条3000mm超宽幅偏光片项目动工
据消息，6月26日，总投资55亿元的恒美光电（二期）全球首条3000mm超宽幅偏光片项目在苏州昆山动工建设，将助力全球超大尺寸屏幕实现“零的突破”。
新思科技340亿美元收购Ansys交易获有条件批准
据外媒，美国联邦贸易委员会（FTC）于当地时间周三表示，将要求Synopsys（新思科技）和Ansys剥离部分资产，以达成新思科技以340亿美元收购软件开发商Ansys的交易。
